	Bild	Teil #	Beschreibung	fabricant	Auf Lager	RFQ
		2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor	Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 3 ein Oberflächenberg D-PAK 50MHz 1 W
		Transistoren 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP durch Loch zur Hochleistung 220AB	Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W durch Loch TO-220
		BERG TRUNKENBOLD 23 FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP Oberflächentransistor-140MHz 625mW 3	Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 800 MA 140MHz 625-mW-Oberflächenberg SOT-23
		Transistor-Silikon-materielle niedrige Kollektor-Sättigungs-Spannung 2SD1899 NPN PNP	Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W durch Loch TO-220
		Oberflächenberg 417mW (Ta) BSH201,215 NPN PNP des Transistor-P Kanal-60V 300mA (Ta)	Berg TO-236AB des P-Kanal-60 V 300mA (Ta) der Oberflächen-417mW (Ta)
		2N7002PW Oberflächenkanal 60V 310mA (Ta) 260mW des berg-NPN PNP der Transistor-N	Berg SOT-323 des N-Kanal-60 V 315mA (Ta) der Oberflächen-260mW (Ta)
		2SD2227STPW 50V universelle Art einzelne Konfiguration DCs 0.15A Transistor-NPN	Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 50 V 150 MA 250MHz 300 mW durch Loch SPT
		PIMN31,115 NPN / PNP-Widerstand ausgestatteter Transistor 500 MA 50V Dual Gate-Transistor	Bipolartransistor (BJT) 2 NPN - Bipolartransistor (Dual) 50V 500mA 420mW Oberflächenhalter 6-TSOP
		EPITAXIAL- PLANARER PNP TRANSISTOR BD140 3 Pin Transistor	Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
		PZT2907A Leistungs-MOSFET-Transistor Si-Epitaxial-Planarschalttransistoren	Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223
		Epitaxial- planarer Audiomosfet 2SB1560, energie des Silikons PNP	Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
		Epitaxial- planarer Transistor des Silikon-PNP, Audioenergie 2SB1560 mosfet	Bipolarer (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50 MHz 100 W Durchgangsloch TO-3P
		Epitaxial- planare Silikonleistungstransistoren 2SC5707 PNP/NPN für hohe gegenwärtige Schaltung	Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 50 V 8 ein Oberflächenberg TP-FA 330MHz 1 W
		Epitaxial- planare Art des Energie 2SB1219A Mosfet-Transistor-Silikon-PNP	Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 50 V 500 MA 200MHz 150-mW-Oberflächenberg SMini3-G1
		2SA1295 PNP Epitaxial- planare nagelneue ursprüngliche Zustand des Transistor-Silikon-SANKEN	Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 230 V 17 ein 35MHz 200 W durch Loch MT-200
		Leiterplatte-Chips Surface-Berg Si-Epitaxial- planares der Transistor-BCP55	Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
		EMD3T2R Leistungs-Mosfet-Modul-Transistor für allgemeine Zwecke (zwei digitale Transistoren)	TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
		Ergänzender mosfet-geringer Energie Schaltleistung der Leistungstransistoren TIP2955 mosfet	Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
		TIP3055 Leistungstransistorder hohen leistung des Silikon-NPN mosfet-Transistoren	Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
		MMBT3904-7-F multi Emittertransistor NPN DIFFERENZIELLER OBERFLÄCHENberg-TRANSISTOR	Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
		DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED DIFFERENZIELLER BERG-TRANSISTOR-Energie mosfet-Modulenergie mosfet IC OBERFLÄCHEN-SOT-23	Vorgespannter Bipolartransistor (BJT) NPN – vorgespannt 50 V, 100 mA, 250 MHz, 200 mW, Oberflächenmo
		MMBT5401 PNP Epitaxial- PC des Silikon-Transistor-2L SOT-23 3000	Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 150 V 600 MA 300MHz 350-mW-Oberflächenberg SOT-23
		Mosfet-Hochspannungsenergie mosfet der universellen geringen Energie Transistors BC856B SMD (PNP)	Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 150MHz 350-mW-Oberflächenberg SOT-23
		SILIKON-TRANSISTORS BC858B-elektrische Leiterplatte des OBERFLÄCHENberg-PNP, programmierbares IC	Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 30 V 100 MA 100MHz 250-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
		Gedächtnis-greller Chip 60V MMBT2907A-7-F Gleichrichterdiode-Programm IC Chip Color Fernsehen IC	Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 600 MA 200MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3
		DDTC143XCA-7-F Gleichrichterdiodebrückengleichrichterdiode China-Lieferanten-ursprünglicher Dioden IC-Chip	Vorgespannter Bipolartransistor (BJT) NPN – vorgespannt 50 V, 100 mA, 250 MHz, 200 mW, Oberflächenmo

Flash-Speicher IC-Chip

Programmierbarer IC-Chip

Computer IC bricht ab

LED-Fahrer ICs

Energie-Management IC

Integrierte Schaltungschips

MCU-Mikrocontroller-Einheit

Anzeigen-Fahrer ICs

IGBT-Leistungsmodul

Verstärker IC bricht ab

elektronische IC-Chips

Elektronische Bauelemente

epitaxial planar pnp transistor

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2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

Transistoren 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP durch Loch zur Hochleistung 220AB

BERG TRUNKENBOLD 23 FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP Oberflächentransistor-140MHz 625mW 3

Transistor-Silikon-materielle niedrige Kollektor-Sättigungs-Spannung 2SD1899 NPN PNP

Oberflächenberg 417mW (Ta) BSH201,215 NPN PNP des Transistor-P Kanal-60V 300mA (Ta)

2N7002PW Oberflächenkanal 60V 310mA (Ta) 260mW des berg-NPN PNP der Transistor-N

2SD2227STPW 50V universelle Art einzelne Konfiguration DCs 0.15A Transistor-NPN

PIMN31,115 NPN / PNP-Widerstand ausgestatteter Transistor 500 MA 50V Dual Gate-Transistor

EPITAXIAL- PLANARER PNP TRANSISTOR BD140 3 Pin Transistor

PZT2907A Leistungs-MOSFET-Transistor Si-Epitaxial-Planarschalttransistoren

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BERG TRUNKENBOLD 23 FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP Oberflächentransistor-140MHz 625mW 3

Transistor-Silikon-materielle niedrige Kollektor-Sättigungs-Spannung 2SD1899 NPN PNP

Oberflächenberg 417mW (Ta) BSH201,215 NPN PNP des Transistor-P Kanal-60V 300mA (Ta)

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2SD2227STPW 50V universelle Art einzelne Konfiguration DCs 0.15A Transistor-NPN

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EPITAXIAL- PLANARER PNP TRANSISTOR BD140 3 Pin Transistor

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Epitaxial- planarer Audiomosfet 2SB1560, energie des Silikons PNP

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Epitaxial- planare Silikonleistungstransistoren 2SC5707 PNP/NPN für hohe gegenwärtige Schaltung

Epitaxial- planare Art des Energie 2SB1219A Mosfet-Transistor-Silikon-PNP

2SA1295 PNP Epitaxial- planare nagelneue ursprüngliche Zustand des Transistor-Silikon-SANKEN

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EMD3T2R Leistungs-Mosfet-Modul-Transistor für allgemeine Zwecke (zwei digitale Transistoren)

Ergänzender mosfet-geringer Energie Schaltleistung der Leistungstransistoren TIP2955 mosfet

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MMBT3904-7-F multi Emittertransistor NPN DIFFERENZIELLER OBERFLÄCHENberg-TRANSISTOR

DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED DIFFERENZIELLER BERG-TRANSISTOR-Energie mosfet-Modulenergie mosfet IC OBERFLÄCHEN-SOT-23

MMBT5401 PNP Epitaxial- PC des Silikon-Transistor-2L SOT-23 3000

Mosfet-Hochspannungsenergie mosfet der universellen geringen Energie Transistors BC856B SMD (PNP)

SILIKON-TRANSISTORS BC858B-elektrische Leiterplatte des OBERFLÄCHENberg-PNP, programmierbares IC

Gedächtnis-greller Chip 60V MMBT2907A-7-F Gleichrichterdiode-Programm IC Chip Color Fernsehen IC

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