| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ |
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52991-0708 senken Stapelhöhen Stromkreis-Größen-Version, Chips der Elektronik IC
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Steckverbinderbuchse mit 70 Positionen, Mittelstreifenkontakte, Oberflächenmontage, Gold
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BUK7611-55B, 118 NORMALNIVEAU ICs TRENCHMOS-TM Lieferanten-neue u. ursprüngliche elektronische Bauelemente FET China
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Berg D2PAK des N-Kanal-55 V 75A (Tc) der Oberflächen-157W (Tc)
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MURS160-E3/52T elektronischer Computer-Chip-Brett Oberflächenberg-ultraschneller Plastikgleichrichter
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Oberflächenberg DO-214AA (SMB) der Dioden-600 V 2A
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Hersteller
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Der IRFP2907PBF-Transistor-TO-247 integrierten Schaltung Chip goldener IC Lieferant IC-Elektronik-Chinas
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N-Kanal 75 V 209A (Tc) 470W (Tc) durch Loch TO-247AC
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Hersteller
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Der IRFB4227PBF-Transistor-TO-247 integrierten Schaltung Chip goldener IC Lieferant IC-Elektronik-Chinas
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N-Kanal 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Mosfet-Transistoren Energie Mosfet-Transistor-N-Kanal-Energie MOSFETs der hohen Leistung RFP70N06
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N-Kanal 60 V 70A (Tc) 150W (Tc) durch Loch TO-220-3
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Hersteller
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S6025L-TRIAC-empfindliche Tor-Energie Mosfet-Transistor-Störungsbesuche 1-70 Ampere UNEMPFINDLICHE TOR-
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Störungsbesuch 600 V 25 eine Standardwiederaufnahme durch Loch TO-220 lokalisierte Vorsprung
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Leistungstransistoren TIP31C-Hochspannungsenergie mosfet-Doppelenergie mosfet-Silikon-NPN
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 100 V 3 ein 3MHz 40 W durch Loch TO-220
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Hersteller
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TIP117 mosfet-Doppelenergie mosfet Hochspannungsenergie des Silikons PNP DarliCM GROUPon Power Transistors
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 2 A 50 W durch Loch TO-220
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Hersteller
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Dichte DR127-6R8-R hoher Leistung, hohe Leistungsfähigkeit, abgeschirmte Induktoren
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µH 6,8 schirmte Trommel-Kern ab, Wirewound Induktor 7,34 ein nichtstandardisiertes 11.6mOhm
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Hersteller
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ADXL335BCPZ klein, geringe Energie, Beschleunigungsmesser, der IC-Chips programmiert
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Beschleunigungsmesser X, Y, z-Achse ±3g 1.6kHz (X, Y), 550Hz (Z) 16-LFCSP-LQ (4x4)
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Hersteller
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Stromkreis-Computer Chip Board n-Kanal Powertrench Mosfet FDS6676AS Intregrated
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Berg 8-SOIC des N-Kanal-30 V 14.5A (Ta) der Oberflächen-2.5W (Ta)
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Hersteller
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Rechnerschaltungs-Brett Chips Programmed Integrated Digital DS1821S
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Temperaturfühler Digital, lokales -55°C | 125°C 8 b 8-SOIC
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Viererkabel-Kanal-Isolatoren mit integriertem DC-zu-DC Konverter ADUM6402CRWZ
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Universeller Kanal 25Mbps 25kV/µs CMTI 16-SOIC (0,295", 7.50mm Breite) Digital-Isolator-5000Vrms 4
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SMP50-180 Trisil für Brechstangen-Schutz Spannungsbereich des Fernmeldeausrüstungsschutzes■ bidirektionalen von 62 V zu 320 V
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180V Ausschalt-150 EIN Ipp Fernsehthyristor DO-214AC, SMA
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SPERREN-GLEICHRICHTER-GEGENWÄRTIGE SPANNUNG 1.0Ampere SS14 SCHOTTKY 20 bis 100 Volt
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Diode 40 V 1A Oberflächenmontage DO-214AC (SMA)
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Hersteller
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Oberflächenberg-Schottky-Sperren-Gleichrichter Vishay General Halbleiter SS34-E3/57T
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ADT2-1T+ Leiterplatte bricht SOP-6 ursprüngliches IC Chip Original Electronics Components ab
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Rf-Balun 400kHz | 450MHz 1:2 6-SMD, flache Führungen
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Ursprüngliche der Zenerdiode-integrierten Schaltung 1N4756A 1W Komponenten
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Zenerdiode 47 V 1 W ±5% durch Loch DO-41
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Bricht universelle 4N25VM Leiterplatte Optokoppler des Fototransistor-6-Pin ab
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Lichtdämpfer-Transistor mit niedrigem Kanal 6-DIP des Ertrag-4170Vrms 1
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AO3400A-Leiterplatte bricht N-Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor ab
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Berg SOT-23-3 des N-Kanal-30 V 5.7A (Ta) der Oberflächen-1.4W (Ta)
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Hersteller
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Elektronisches Bauelement AQV259A ER (hoch- Funktion Wirtschafts-) Art [1-Channel (Art der Form-A)]
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Festzustand SPST-NO (1 Form A) 6-SMD (0,300", 7.62mm)
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Hersteller
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AQY282SX-Leiterplatte bricht Art GUS (allgemeiner Gebrauch) ab [1, (Form A) 4, Art 8-Pin] Unterhaltung 2-Channel
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Festzustand SPST-NO (1 Form A) 4-SOP (0,173", 4.40mm)
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Hersteller
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BAS16LT1G-Schaltdiode-ursprüngliche elektronische Bauelemente, integrierter Transistor
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Dioden 100 V 200 mA Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
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Universeller niedriger Strom des Transistor-elektronischen Bauelements BC848B NPN
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 30 V 100 MA 300MHz 250-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Leiterplatte-Chips Surface-Berg Si-Epitaxial- planares der Transistor-BCP55
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Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
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Hersteller
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SPERREN-(DOPPEL) Diodenschaltungs-Brett Chips Electronic Components BAT54S SCHOTTKY
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Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-30 V 100mA
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Hersteller
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Universelle Transistor-Chinas BC847BLT1G kundenspezifische circuitos Großhandelsintegrados
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 100 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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ABC2-10.000MHZ-D4 Q-T Circuit Board Chips Low Frequency, ursprüngliche elektronische Bauelemente IC brechen ab
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10 MHZ ±50ppm Kristall-18pF 45 Ohm 4-SMD, keine Führung
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Hersteller
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Universelle Komponenten der kundenspezifischen integrierten Schaltung Transistors BC848B NPN
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 30 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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SILIKON-TRANSISTORS BC858B-elektrische Leiterplatte des OBERFLÄCHENberg-PNP, programmierbares IC
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 30 V 100 MA 100MHz 250-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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BSS84LT1G-Transistor Energie MOSFET 130-MA-, 50 v-China Lieferanten-neue u. ursprüngliche elektronische Bauelemente
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Berg SOT-23-3 (TO-236) des P-Kanal-50 V 130mA (Ta) 225mW (Ta) der Oberflächen-
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ACS712ELCTR-30 A-T Circuit Board Chips Ceramic Surface Mount SMD Elektronik-Komponenten
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Gegenwärtiger Kanal Hall Effect, offene Schleife bidirektionales 8-SOIC (0,154", 3.90mm Breite) des
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BFG541 Transistor NPN 9 Breitband-China Lieferanten-neue u. ursprüngliche elektronische Bauelemente Gigahertz
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Oberflächenberg SC-73 Rf-Transistor-NPN 15V 120mA 9GHz 650mW
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VLS3012T-4R7M1R0 SMD Komponenten der Energie-Induktorintegrierten schaltung
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µH 4,7 schirmte Wirewound Induktor 1 ein 156mOhm Max Nonstandard ab
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AQY210EH-RELAIS PHOTOMOS SPNO China Lieferanten-neue u. ursprüngliche elektronische Bauelemente
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Festzustand SPST-NO (1 Form A) 4-DIP (0,300", 7.62mm)
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LTV-817S-B SOP-4 IC-Elektronik-Montage-Art mit hoher Dichte Fotokupplung Chip integrierter Schaltung
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Lichtdämpfer-Transistor gab 5000Vrms 1 Kanal 4-SMD aus
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SFH229FA Silizium-PIN--Fotodiodemit-sehr kurzer Schaltzeit-Silikon-PIN Fotodiode-Leiterplatte IC
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Radialstrahl der Fotodioden-900nm 10ns 34°
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Hochgeschwindigkeitsinfrarotemitter SFH4301 (950 Nanometer) 3-Millimeter-in der RadialpaketLeiterplatte IC
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T-1 des Infrarot-(IR) des Emitter-950nm 1.5V 100mA 16mW/sr @ 100mA 20°
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Hoher Eingangsstrom PC733H, Wechselstrom gab Art PC-Brett der Fotokupplung IC ein
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Lichtdämpfer-Transistor mit niedrigem Kanal 6-DIP des Ertrag-5000Vrms 1
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2SA1298-Y, WENN integrierter Halbleiter Niederfrequenzder endverstärker-Anwendungs-Energie-zugeschalteter Anwendungen
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Hochgeschwindigkeits Lieferant MOC3021 SOP-6 IC Chips Electronics China Golden IC KANN Transceiver
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Lichtdämpfer-TRIAC gab 5000Vrms 1 Kanal 6-DIP aus
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ACPL-247-500E Leiterplatte-Chips, IC-Elektronik der integrierten Schaltung
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Lichtdämpfer-Transistor gab 3000Vrms 4 Kanal 16-SO aus
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IC-Elektronik-ergänzender Silikon NPN Chip integrierter Schaltung HCNW2611 DIP-8 planarer Rf-Transistor
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Der Open-Collector Lichtdämpfer 10MBd, Schottky der digitalen Ausgabe klemmte 5000Vrms 1 Kanal 15kV/
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Schottky-Gleichrichterdiode 15MQ040N messen Schutz für PC Brett-Stromkreise
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Oberflächenberg SMA (DO-214AC) der Dioden-40 V 2.1A
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Der Elektronik-2A berg-Schottky-Sperrschichtdiode der Gleichrichterdiode-BAT54A Oberflächen
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Dioden-Reihe Oberflächenberg SOT-523 der 1 Paar-allgemeiner Anoden-30 V 100mA
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Hersteller
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TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR, das infrarotemittierende Diode der Dioden-hohen Leistung ausstrahlt
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Radialstrahl des Infrarot-(IR) des Emitter-940nm 1.35V 100mA 16mW/sr @ 100mA 50°, 3mm Durchmesser (T
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Hersteller
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Ultraschneller Gleichrichter Rf-integrierter Schaltung des Chip-BYG23M-E3/TR der Lawinen-SMD
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Oberflächenberg DO-214AC (SMA) der Dioden-1000 V 1.5A
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Zenerdiode-Brücken-Gleichrichterschaltungs-hohe Dichte BZX84C33LT1G 18V
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Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236) der Zenerdiode-33 V 225 mW ±6%
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Hersteller
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Silikon-Gleichrichterdiode IC SMAJ12CA vorübergehende Spannung 400 Watt Zener
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19.9V Fernsehdioden-Oberflächenberg DO-214AC (SMA) der Klammern-20.1A Ipp
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Hersteller
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