| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ |
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BYG20J-E3/TR Gleichrichterdiode-Elektronik-Komponenten brechen IC-Elektronik ab
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Oberflächenberg DO-214AC (SMA) der Dioden-600 V 1.5A
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PASSIVIERTER SILIKON-ZENERDIODE-Dioden-Glasbrückengleichrichter IC DER KREUZUNGS-1N4749A UHFvariable Kapazitanzdiode
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Zenerdiode 24 V 1 W ±5% durch Loch DO-204AL (DO-41)
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Hersteller
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MBRS2040LT3G-Oberflächenberg-Schottky-Energie-Gleichrichterenergie-Gleichrichterdiode Schottky-Gleichrichterdiode
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Oberflächenberg SMB der Dioden-40 V 2A
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TRANSISTOR-Chip IC-Elektronik Electrnocs Diode IPD60R380C6 Recitifier Teil
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Berg PG-TO252-3 des N-Kanal-600 V 10.6A (Tc) der Oberflächen-83W (Tc)
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Hersteller
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S5M - E3 - IC-Elektroniktransistor Chip der 57T Gleichrichterdiode-integrierten Schaltung
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Oberflächenberg DO-214AB (SMC) der Dioden-1000 V 5A
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Hersteller
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Zener-Spannungs-Regler Gleichrichterdiode MMBZ5230BLT1G MMBZ5234BLT1G
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Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236) der Zenerdiode-4,7 V 225 mW ±5%
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Hersteller
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S3G-E3/57T Gleichrichterdiode-Oberflächenberg-ultraschneller Plastikgleichrichter
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Hersteller
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SS26T3G-Gleichrichterdiode-integrierte Schaltung Chip Program Memory
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Oberflächenberg SMB der Dioden-60 V 2A
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Hersteller
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Doppeldiode vorbildliches Schottky Barrier Diode der niedrigen Einfügungsdämpfung B39162B4310P810
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Frequenz 1.589GHz GPS-Rf SAH Bandbreite 5-SMD, keine Führung des Filter-(akustische Oberflächenwelle
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Hersteller
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Wiederaufnahme-Gleichrichterdioden der US1M-E3/61T Gleichrichterdiode SMA schnelle
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Oberflächenberg DO-214AC (SMA) der Dioden-1000 V 1A
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Hersteller
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Gedächtnis greller Chip Low Power MCP9700AT-E/TT Gleichrichterdiode elektronisches IC Chip Color Fernsehen IC
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Temperaturfühler-Entsprechung, lokales -40°C | 125°C 10mV/°C SOT-23-3
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Hersteller
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Diodenlasers der 1N5821RLG Gleichrichterdiode 730nm achsengeleitete Gleichrichter
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Diode 30 V 3A durch das Loch axial
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Gleichrichterdiode-hohe Leistungsfähigkeits-(ultraschnelle) Gleichrichter der hohen Leistung UF4004
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Diode 400 V 1A durch Loch DO-41
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STTH12R06D-Gleichrichterdiode-integrierte Schaltung Chip Program Memory
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Diode 600 V 12A durch Loch TO-220AC
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Hersteller
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1N5363BRLG 5 Spannungs-Regler-Signal-Schottky-Diode Watt Surmetic TM 40 Zener
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Durchgehendes Loch der Zenerdiode-30 V 5 W ±5% axial
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Hersteller
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ENERGIE-SILIKON-TRANSISTOR Schottky-SperrenGleichrichterdiode sr360 2N6052 PNP DARLICM GROUPON
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Zweipoliger Transistor (BJT)
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12CWQ10FN Gleichrichterdiode-Signal-Schottky-Diode SCHOTTKY-GLEICHRICHTER
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Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-252-3, DPak (2 Führungen + Vorsprung) der 1 Paar-allgemeiner Kathode
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Hersteller
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Universelle Signal-Schottky-Diode Dioden der Lawine der BAS31 Gleichrichterdiode kontrollierte (doppelte)
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Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-120 V 200mA
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Hersteller
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Gedächtnis-greller Chip 60V MMBT2907A-7-F Gleichrichterdiode-Programm IC Chip Color Fernsehen IC
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 600 MA 200MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3
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Hersteller
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SS495A1 Gleichrichterdiode-universelle Transistoren IC Chip Electronics
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Hall Effect Sensor Single Axis-Radialführung
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PTZTE2518B-Zenerdiode IC-Elektronik Compponents-Programm IC Chip Memory IC
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Oberflächenberg PMDS der Zenerdiode-18 V 1 W ±6%
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BZT52C12-7-F OBERFLÄCHENDoppeldiodenmodell BERG-ZENERDIODE Signal-Schottky-Diode
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Oberflächenberg SOD-123 der Zenerdiode-12 V 500 mW ±5%
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Hersteller
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BZG05C6V2TR-Gleichrichterdiode-Zenerdiode-Silikon-planare Zenerdioden
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Oberflächenberg 1,25 der Zenerdiode-6,2 V W ±6% DO-214AC (SMA)
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Strom der RB056L-40TE25 Zener Gleichrichterdiode IC-Elektronik-Komponenten-3A
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Diode 40 V 3A Oberflächenmontage PMDS
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Spannung des RGF1M-E3/67A Zenerdiode IC-Elektronik-Komponenten-Programm-40
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Oberflächenberg DO-214BA (GF1) der Dioden-1000 V 1A
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Schroffe ultraschnelle sich wiederholende Höchstverdoppelungsperrspannung der BYV32EB-200 Gleichrichterdiode 200 V
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Dioden-Reihe Reihe der 1 Paar-allgemeine Kathoden-200 V 20Diode 1 Paar CoA-Oberflächenberg TO-263-3,
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Vorübergehende Spannungs-Unterdrücker MMBZ6V2ALT1G-Gleichrichterdiode-Energie Zener
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8.7V Fernsehdioden-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236) der Klammern-2.76A Ipp
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Hersteller
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MMSZ5242BT1G-Diodengleichrichterschaltung Zenerdioden Zener-Spannungs-Regler
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Oberflächenberg SOD-123 der Zenerdiode-12 V 500 mW ±5%
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Hersteller
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MMBD4148-7-F OBERFLÄCHENsignal-Schottky-Diode BERG-SCHALTDIODE-Fahrwerkfernsehen IC
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Oberflächenberg SOT-23-3 der Dioden-75 V 300mA
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Hersteller
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B340B-13-F Diodengleichrichterschaltung OBERFLÄCHENberg-SCHOTTKY-SPERREN-GLEICHRICHTER
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Oberflächenberg SMB der Dioden-40 V 3A
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Hersteller
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SR360-HF 3,0 Ampere Schottky Signal-Schottky-Diode der Sperren-Gleichrichterdiode-sr360
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Diode 60 V 3A durch Loch DO-27
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Hersteller
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Gleichrichterschaltung der Diode SBYV27-100-E3/54 SCHNELLER GLEICHRICHTER ultraschnelles Silikon-Mesa Rectifierss
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Diode 100 V 2A durch Loch DO-204AC (DO-15)
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Hersteller
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SS24T3G-lineare integrierte Schaltungen des Oberflächenberg-Schottky-Energie-Gleichrichters
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Oberflächenberg SMB der Dioden-40 V 2A
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Hersteller
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MBRS1100T3G-Gleichrichterdiode-Schottky-Energie-Gleichrichter-Oberflächenberg
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Oberflächenberg SMB der Dioden-100 V 1A
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Energie-Gleichrichter der MUR220RLG-Gleichrichterdiode-SWITCHMODE TM ULTRASCHNELLER GLEICHRICHTER
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Diode 200 V 2A durch das Loch axial
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MURA160T3G-Gleichrichterdiode-Oberflächenberg-ultraschneller Energie-Gleichrichter
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Oberflächenberg SMA der Dioden-600 V 1A
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Gleichrichterschaltung der Diode 1N5349B PASSIVIERTE KREUZUNGS-SILIKON-GLASZENERDIODEN
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Zenerdiode 12 V 5 W ±5% durch Loch T-18
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Hersteller
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Gleichrichterdiode-vorübergehende Spannungs-Unterdrücker Fernsehen1.5ke250a
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344V Fernsehdiode der Klammern-4.4A Ipp durch Loch DO-201
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Hersteller
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BZG03C120TR-Silikon-Z-Diodenbrückengleichrichterschaltungssignal Schottky-Diode
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Zenerdiode 120 V 1,25 W Oberflächenmontage DO-214AC (SMA)
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Hersteller
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BZV85-C7V5,133 Gleichrichterdiode DO-41 SILIKON-PLANARE ENERGIE Zenerdiode
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Zenerdiode 7,5 V 1,3 W ±5% durch Loch DO-41
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Hersteller
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SM712.TCT asymetrische Fernsehdiode für ausgedehnten Gleichtakt RS-485
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26V, 12V Fernsehdioden-Oberflächenberg SOT-23-3 der Klammern-17A (8/20µs) Ipp
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Hersteller
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SS32-E3-57T Gleichrichterdiode-Oberflächenberg-Schottky-Sperre neu u. ursprünglich
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Oberflächenberg DO-214AB (SMC) der Dioden-20 V 3A
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Hersteller
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Elektronisches Bauelement der neuen u. ursprünglichen BZG03C30TR-Silikon-Zenerdioden
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Zenerdiode 30 V 1,25 W Oberflächenmontage DO-214AC (SMA)
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Hersteller
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Universeller Energie Mosfet-Transistor (NPN-Silikon) Pb−Free verpackt MMBT3904LT1G
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 40 V 200 MA 300MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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Ultra niedriger Energie MOSFET-P-Kanal MOSFET SOT-23 des Auf-Widerstand-HEXFET Abdruck-schnelle Schaltung IRLML6402TRPBF
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Berg Micro3™/SOT-23 des P-Kanal-20 V 3.7A (Ta) der Oberflächen-1.3W (Ta)
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Hersteller
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Transistor-Energie-Fahrer Stage Amplifier Applications ergänzend zu 2SC4793 (F, M) A1837
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 230 V 1 ein 100MHz 2 W durch Loch TO-220NIS
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Hersteller
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Empfindliches Tor BT139-800E, 127 Energie Mosfet-Transistorsilikonleistungstransistoren der TRIAC
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TRIAC Logik - empfindlicher Flugsteig 800 V 16 A durch Loch TO-220AB
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Hersteller
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Neuer u. ursprünglicher Energie Mosfet-Transistor (−100V, −2A) 2SB1316
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 2 ein Oberflächenberg CPT3 50MHz 10 W
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Hersteller
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Mosfet-Transistor Energie Energie 2N7002LT1G mosfet IC differenzieller MOSFET 60 V, 115 MA, N−Channel SOT−23
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Berg SOT-23-3 (TO-236) des N-Kanal-60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) der Oberflächen-
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Hersteller
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STD60NF55LT4 N-Kanal 55V - 0,012 ヘ - 60A - DPAK-/IPAKenergie MOSFET
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Berg DPAK des N-Kanal-55 V 60A (Tc) der Oberflächen-100W (Tc)
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Hersteller
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