| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ |
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STPS2150 Gleichrichterdiode Schottky-Brückengleichrichter TREIBEN SCHOTTKY-GLEICHRICHTER an
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Diode 150 V 2A durch Loch DO-15
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LT4356CMS-1#TRPBF Gleichrichterdiode-Überspannungs-Schutz-Regler und Zustrom-Begrenzer
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BZX84C2V7 350 populäre integrierte Schaltungen der mW-Oberflächen-Berg-Silikon-planaren Zenerdioden
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Oberflächenberg SOT-23 der Zenerdiode-2,7 V 350 mW ±7.41%
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Populäre integrierte Schaltungen der TZM5239B-GS08 Gleichrichterdiode-Silikon-Zenerdioden
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Oberflächenoberflächenberg SOD-80 MiniMELF des ZenerZener-Dioden-9,1 V 500 mW ±5% berg-SOD-80 MiniME
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PESD3V3L5UF, 115 niedrige Kapazitanz der Gleichrichterdiode fünffache ESD-Schutzdiodenreihen in einer Richtung
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12V Fernsehdioden-Oberflächenberg 6-XSON, SOT886 (1.45x1) der Klammern-2.5A (8/20µs) Ipp
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Planare Zenerdioden des Silikon-1N4758A-TAP für stabilisierten elektronischen IC Chip der Stromversorgung
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Zenerdiode 56 V 1,3 W ±5% durch Loch DO-204AL (DO-41)
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Prüfungsleistungstransistoren MOSFET Energie IRF7424TRPBF HEXFET
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Berg 8-SO des P-Kanal-30 V 11A (Ta) der Oberflächen-2.5W (Ta)
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N-Kanal-Anreicherungstyp 30V des Feld-Effekt-Transistor-AO3400A
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Stammaktie FSC des Energie 2N5459 Mosfet-Transistor-N-Kanal-To-92
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JFET-N-Kanal 25 V 625 mW durch Loch TO-92-3
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Kontrollierte Gleichrichter des Silikon-2N6405G heben Thyristoren 50 bis 800 VOLT blockieren auf
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Störungsbesuch 800 V 16 eine Standardwiederaufnahme durch Loch TO-220AB
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BC817-25LT1G NPN universelle Transistor-Elektronik-integrierte Schaltungen
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Silikon-Elektronik-Komponenten BC847A-Doppelenergie Mosfet-Transistor-NPN
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 100 MA 300MHz 250-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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BC846B-Silikon-universelle Transistoren NPN elektrisches IC
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 65 V 100 MA 300MHz 350-mW-Oberflächenberg SOT-23-3
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Universeller Verstärker Energie Mosfet-Transistor-KSP2907 ATA Equivalent PNP
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 600 MA 200MHz 625 mW durch Loch TO-92-3
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Universeller Transistor KSP2907ATF
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 600 MA 200MHz 625 mW durch Loch TO-92-3
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Linearer Energie Mosfet-Transistor 2N5458 JFETs führte Fernsehen-IC-Chips
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JFET-N-Kanal 25 V 310 mW durch Loch TO-92 (TO-226)
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Kanal-Anreicherungstyp BSP315 SIPMOS Signal-Energie Mosfet-Transistor-P
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Oberflächenberg SOT-223 des P-Kanal-50 V 1A 1.8W
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Ergänzende Thyristor-TRIAC-empfindliches Tor Energie Mosfet-Transistor-BT136-600E
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TRIAC Logik - empfindlicher Flugsteig 600 V 4 A durch Loch TO-220AB
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Schaltung BD681 NPN DarliCM GROUPon Power Transistors Medium Power
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 100 V 4 A 40 W durch Loch SOT-32-3
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Universelle BTA Reihe des Wechselstrom-TRIAC-Dimmer-Schalter-BTA41-600BRG 40A
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TRIAC Standard 600 V 40 A durch Loch TOP3
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Hochspannungsenergie Mosfet-Transistor BTA16-600BRG 16A TRIAC BTA/BTB 16
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TRIAC Standard 600 V 16 A durch Loch TO-220
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AO3400A-Energie Mosfet-Transistor-N-Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor
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Berg SOT-23-3 des N-Kanal-30 V 5.7A (Ta) der Oberflächen-1.4W (Ta)
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Mosfet-Transistor-schnelle Schaltung Energie der dritten Generation HEXFET IRFBC40PBF
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N-Kanal 600 V 6.2A (Tc) 125W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Ultra niedrig auf mosfet IC IRLML6402TRPBF Energie des Widerstands HEXFET
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Berg Micro3™/SOT-23 des P-Kanal-20 V 3.7A (Ta) der Oberflächen-1.3W (Ta)
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HEXFET-Energie Mosfet-Transistor, Energie mosfet-Modul IRF7329TRPBF
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Oberflächenberg 8-SO Mosfet-Reihen-12V 9.2A 2W
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Wechselstrom gab Fototransistor-Optokoppler-Elektronik-Teiltransistor H11AA1M ein
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Lichtdämpfer-Transistor mit niedrigem Kanal 6-DIP des Ertrag-4170Vrms 1
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Epitaxial- planare Silikonleistungstransistoren 2SC5707 PNP/NPN für hohe gegenwärtige Schaltung
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 50 V 8 ein Oberflächenberg TP-FA 330MHz 1 W
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N-Kanal 20V PowerTrench-Energie Mosfet-Transistor FDV305N
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Berg SOT-23-3 des N-Kanal-20 V 900mA (Ta) der Oberflächen-350mW (Ta)
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PNP-Silikon-Transistor-universelle zugeschaltete Anwendung BC856BLT3G
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Bipolarer (BJT) Transistor PNP 65 V 100 mA 100 MHz 300 mW Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
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Transistor (Npn) für allgemeine Af-Anwendungen, hoher Kollektorstrom Bc817-40
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Ergänzende Silikon-Energie Ttransistors BD139
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 80 V 1,5 A W 1,25 durch Loch SOT-32-3
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Niedriger thermischer Widerstand 100 v-N-Kanal NexFET-Energie MOSFETs CSD19533Q5A
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N-Kanal 100 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 96W (Tc) Berg 8-VSONP (5x6) der Oberflächen-
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Hersteller
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Energie 20V Mosfet-Transistor-N-Kanal PowerTrench MOSFET FDV305N
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Berg SOT-23-3 des N-Kanal-20 V 900mA (Ta) der Oberflächen-350mW (Ta)
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Hersteller
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100V 80A, Energie 9mз Mosfet-Transistor qualifiziert zu Fähigkeit FDB3632 EGZ Q101 UIS
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N-Kanal 100 V 12A (Ta), 310W (Tc) Berg D der Oberflächen-80A (Tc) ² PAK (TO-263)
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Einphasig-Glas passivierte Brückengleichrichter 25,0-Ampere-passivierte Glasbrückengleichrichter GBJ2510
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Brückengleichrichter-einphasig-Standard 1 KV durch Loch GBJ
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8 ein Wiederaufnahme-Dioden-Energie Mosfet-Transistor HFA08TB60 HEXFRED ultraschneller weicher
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Diode 600 V 8A Durchgangsloch TO-220AC
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Empfindliches Tor BT134W-600E, Perle des Ferrits 115 vorbildliches smd keramischer Kondensator der TRIAC
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TRIAC Logik - empfindlicher Oberflächenberg SC-73 des Flugsteig-600 V 1 A
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BT139-800E 1 rufen empfindlicher Transistor ursprüngliches IC Chip Power Tran Tor TRIAC im Fernsehen Angebot auf Lager an
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TRIAC Logik - empfindlicher Flugsteig 800 V 16 A durch Loch TO-220AB
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Neuer u. ursprünglicher HEXFET-Energie Mosfet-Transistor IRLR8729TRPBF
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Berg D-PAK des N-Kanal-30 V 58A (Tc) der Oberflächen-55W (Tc)
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Energie TLP734 Mosfet-Transistor neuer u. ursprünglicher GaAs Ired u. Foto-Transistor
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Lichtdämpfer-Transistor gab 4000Vrms 1 Kanal 6-DIP aus
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BSS138LT1G-Energie Mosfet-Transistor-Energie MOSFET 200 MA, 50 V N−Channel SOT−23
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Berg SOT-23-3 (TO-236) des N-Kanal-50 V 200mA (Ta) 225mW (Ta) der Oberflächen-
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Energie BFR520 Mosfet-Transistor NPN Breitbandtransistor mit 9 Gigahertz
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Oberflächenberg SC-75 Rf-Transistor-NPN 15V 70mA 9GHz 150mW
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Energie MR756 Mosfet-Transistor-hohe gegenwärtige Führung angebrachte Gleichrichter
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Diode 600 V 6A
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Neuer u. ursprünglicher STA434A-Energie Mosfet-Transistor PNP + NPN DarliCM GROUPon H - Brücke
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Zweipolige Reihe 2 NPN, 2 PNP DarliCM GROUPon (H-Brücke) 60V 4A 4W des Transistor-(BJT) durch Loch 1
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Mosfet-Transistoren P der hohen Leistung SI2301CDS-T1-E3 - Kanal 20-V (D-S) MOSFET
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P-Kanal 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Berg SOT-23-3 (TO-236) der Oberflächen-
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Energie PMBT2222AYS115 Mosfet-Transistor, Schaltleistung PHILIPSS NPN mosfet
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Bipolares (BJT) Transistor-Array
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Energie 60APU06 Mosfet-Transistor-ultraschnelle weiche Wiederaufnahme-Diode, 60 ein FRED PtTM
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Diode 600 V 60A durch Loch TO-247AC
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Elektronik-integrierte Schaltungen BC847B IC, universeller mosfet 45V
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Breitbandtransistor npn BFG135 universeller Transistor Energie Mosfet-Transistors NPN 7GHz
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Oberflächenberg SC-73 Rf-Transistor-NPN 15V 150mA 7GHz 1W
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Mosfet-Transistor SOT-23 Energie Transistor npn BC847C universeller BIPOLAR TRANSISTOR-TRANSISTOR
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 100 MA 300MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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