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power control ic

Schlüsselwörter   [ power control ic ]  Passen 1458 produits.
BildTeil #BeschreibungfabricantAuf LagerRFQ
LTC3851EUD-PBF elektronische IC Komponenten treten Spannungsregler-Prüfer IC zurück

LTC3851EUD-PBF elektronische IC Komponenten treten Spannungsregler-Prüfer IC zurück

KSZ8851SNLI-TR Gigabit Ethernet Schnittstelle 32-QFN (5x5) Prüfer-10/100 Base-T/TX PHY SPI

KSZ8851SNLI-TR Gigabit Ethernet Schnittstelle 32-QFN (5x5) Prüfer-10/100 Base-T/TX PHY SPI

Vorwurfs-Prüfer IC, Ein-Inputladegerät BQ24070RHLR Lipo der Ladegerät-integrierten Schaltung

Vorwurfs-Prüfer IC, Ein-Inputladegerät BQ24070RHLR Lipo der Ladegerät-integrierten Schaltung

Ladegerät IC-Lithium-Ion/Polymer 20-VQFN (3.5x4.5)
Analoger Schalter IC 0.2Ohm TS3A44159PWR-Ethernet-Schalter ICs viererverseilen analogen Schalter SPDT

Analoger Schalter IC 0.2Ohm TS3A44159PWR-Ethernet-Schalter ICs viererverseilen analogen Schalter SPDT

Ethernet-Schalter ICs TS3A4741DCNR TS3A4742 analoger Schalter IC 0.8O Lo-Vltg Sgl- Sply Doppel-SPST

Ethernet-Schalter ICs TS3A4741DCNR TS3A4742 analoger Schalter IC 0.8O Lo-Vltg Sgl- Sply Doppel-SPST

IC SW SPST-NOX2 900MOHM SOT23-8
1:2 MUX/DEMUX des TS3DV642A0RUAR-Ethernet-Schalter IC-Mehrfachkoppler-Schalters IC 12Ch

1:2 MUX/DEMUX des TS3DV642A0RUAR-Ethernet-Schalter IC-Mehrfachkoppler-Schalters IC 12Ch

2:1 42WQFN ICS MUX/DEMUX 12 X
Körperverletzungs-Vorwurfs-Prüfer IC, hohe Eingangsspannung BQ25606RGER -40 bis 85 Li Ion Chargers IC

Körperverletzungs-Vorwurfs-Prüfer IC, hohe Eingangsspannung BQ25606RGER -40 bis 85 Li Ion Chargers IC

IC-BATTERIE CHG LI-ION 1CELL 24VQFN
Schalter IC 3.3V PCI Express 3,0 HD3SS3411IRWA Gigabit Ethernet 1 Kanal -40°C zu 105°C

Schalter IC 3.3V PCI Express 3,0 HD3SS3411IRWA Gigabit Ethernet 1 Kanal -40°C zu 105°C

1 Stromkreis IC-Schalter2:1 8Ohm 14-WQFN (3.5x3.5)
Industriekompatibler Audioendverstärker IC LM2904DR Simplify Circuit Design

Industriekompatibler Audioendverstärker IC LM2904DR Simplify Circuit Design

Allzweckverstärker 2 Schaltung 8-SOIC
SN74LVC1G125DBVR Integrierter Schaltkreis-Chip-Programmspeicher-LCD-Controller-ICs

SN74LVC1G125DBVR Integrierter Schaltkreis-Chip-Programmspeicher-LCD-Controller-ICs

Der Puffer, 1 Element 1 Nicht-umwandelnd, das pro Element 3-State gebissen wurde, gab SOT-23-5 aus
XC6SLX9-2TQG144C Integrierter Schaltkreis-Chip-Programmspeicher-LCD-Controller-ICs

XC6SLX9-2TQG144C Integrierter Schaltkreis-Chip-Programmspeicher-LCD-Controller-ICs

Spartan®-6 LX Field Programmable Gate Array (FPGA) IC 102 589824 9152 144-LQFP
IC-Stromkreis Ladegerät UA78M05IDCYR Lipo, Batterie-Prüfer IC For Portable Devices

IC-Stromkreis Ladegerät UA78M05IDCYR Lipo, Batterie-Prüfer IC For Portable Devices

Lineares Spannungs-Regler IC-Positiv reparierte 1 Ertrag 500mA SOT-223-4
AD8676ARZ-Audioendverstärker IC-Präzisions-Verstärker 36V 2.8nV/Hz ultra Prec Doppel-RRIO

AD8676ARZ-Audioendverstärker IC-Präzisions-Verstärker 36V 2.8nV/Hz ultra Prec Doppel-RRIO

Universelle Stromkreis-Schiene-zu-Schiene 8-SOIC des Verstärker-2
Der Versorgungs-geringen Energie CBTL01023GM-Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Schalter ICs einzelner Demultiplexer-Schalter

Der Versorgungs-geringen Energie CBTL01023GM-Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Schalter ICs einzelner Demultiplexer-Schalter

DisplayPort, PCIe, USB-Schalter IC 1 Kanal 10-XQFN (1.55x2)
Der geringen Energie Hochspannungsenergie Netzschalter Mosfet-Transistor-KA5M0380RYDTU (FPS)

Der geringen Energie Hochspannungsenergie Netzschalter Mosfet-Transistor-KA5M0380RYDTU (FPS)

Converter Offline Flyback, Forward Topology 67kHz TO-220F-4L (Forming)
Energie SGP02N120 Mosfet-Transistor schnelles S-IGBT in der NPT-Technologie

Energie SGP02N120 Mosfet-Transistor schnelles S-IGBT in der NPT-Technologie

IGBT NPT 1200 V 6,2 A 62 W durch Loch PG-TO220-3-1
SN74LS86ANSR Integrierter Schaltkreis-Chip-Programmspeicher-LCD-Controller-ICs

SN74LS86ANSR Integrierter Schaltkreis-Chip-Programmspeicher-LCD-Controller-ICs

Kanal 14-SO XOR (Exklusives ODER) IC 4
IC-Energie MOSFET Energie PVT312L Relais-Energie Mosfet-Transistor Mikroelektronische photo-voltaischer

IC-Energie MOSFET Energie PVT312L Relais-Energie Mosfet-Transistor Mikroelektronische photo-voltaischer

Festzustand SPST-NO (1 Form A) 6-DIP (0,300", 7.62mm)
SN74HC164N Integrierter Schaltkreis-Chip-Programmspeicher-LCD-Controller-ICs

SN74HC164N Integrierter Schaltkreis-Chip-Programmspeicher-LCD-Controller-ICs

Bit 14-PDIP des Schiebeschieberegister-1 des Element-8
Universelle BTA Reihe des Wechselstrom-TRIAC-Dimmer-Schalter-BTA41-600BRG 40A

Universelle BTA Reihe des Wechselstrom-TRIAC-Dimmer-Schalter-BTA41-600BRG 40A

TRIAC Standard 600 V 40 A durch Loch TOP3
FSCQ0765RT Schaltleistung Mosfet Green Mode Fairchild Power Switch (FPS)

FSCQ0765RT Schaltleistung Mosfet Green Mode Fairchild Power Switch (FPS)

IC OFFLINE SW FLBACK TO220F-5L
TPS2211AIDBR SINGLE-SLOT PC CARD POWER INTERFACE SWITCH, Schaltleistungs-MOSFET

TPS2211AIDBR SINGLE-SLOT PC CARD POWER INTERFACE SWITCH, Schaltleistungs-MOSFET

Power Switch/Driver 3:2 1A 16-SSOP
SN74LS07DR Integrierter Schaltkreis-Chip-Programmspeicher-LCD-Controller-ICs

SN74LS07DR Integrierter Schaltkreis-Chip-Programmspeicher-LCD-Controller-ICs

Puffer, das Element 1 Nicht-umwandelnd 6 gebissen pro Element-Open-Collector-Ertrag 14-SOIC
Mosfet-Hochspannungsmacht mosfet-Thyristoren der geringen Energie kontrollierten der Gleichrichter des Silikon-MCR100-6

Mosfet-Hochspannungsmacht mosfet-Thyristoren der geringen Energie kontrollierten der Gleichrichter des Silikon-MCR100-6

THYRISTOR-STÖRUNGSBESUCH 0.8A 400V TO92
NTF3055L108T1G-Energie Mosfet-Transistor 3,0 ein Graben-Energie mosfet mit 60 V linearer

NTF3055L108T1G-Energie Mosfet-Transistor 3,0 ein Graben-Energie mosfet mit 60 V linearer

N-Channel 60 V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
FSCQ1265RTYDTU-Energie Mosfet-Transistor-Grün-Modus-Fairchild-Netzschalter

FSCQ1265RTYDTU-Energie Mosfet-Transistor-Grün-Modus-Fairchild-Netzschalter

Konverter-Offlinerücklauf-Topologie 20kHz TO-220F-5L (Formung)
DM0565R Power Mosfet Transistor Green Mode Fairchild Power Switch (FPS)

DM0565R Power Mosfet Transistor Green Mode Fairchild Power Switch (FPS)

IC OFFLINE SW FLBACK TO220F-6L
IXFX27N80Q Leistungs-MOSFET-Transistor HiPerFET-Leistungs-MOSFETs Q-KLASSE

IXFX27N80Q Leistungs-MOSFET-Transistor HiPerFET-Leistungs-MOSFETs Q-KLASSE

N-Channel 800 V 27A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
LM119H-Doppelkomparator-Energie mosfet IC, HOHE GESCHWINDIGKEIT der Elektronik-integrierten Schaltungen

LM119H-Doppelkomparator-Energie mosfet IC, HOHE GESCHWINDIGKEIT der Elektronik-integrierten Schaltungen

Comparator General Purpose DTL, Open-Collector, RTL, TTL TO-100-10
Hochspannungsenergie Mosfet-Transistor BTA16-600BRG 16A TRIAC BTA/BTB 16

Hochspannungsenergie Mosfet-Transistor BTA16-600BRG 16A TRIAC BTA/BTB 16

TRIAC Standard 600 V 16 A durch Loch TO-220
TC4429CPA-npn universelle Transistor Energie Mosfet-Transistor 6A Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Fahrer

TC4429CPA-npn universelle Transistor Energie Mosfet-Transistor 6A Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Fahrer

Niedrig-seitiger Tor-Fahrer IC Inverting 8-PDIP
Energie MMBF170 Mosfet-Transistor, N - Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor

Energie MMBF170 Mosfet-Transistor, N - Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor

Berg SOT-23-3 des N-Kanal-60 V 500mA (Ta) der Oberflächen-300mW (Ta)
60V N - Kanal-Energie-Graben MOSFET-Schaltleistung mosfet FDS9945

60V N - Kanal-Energie-Graben MOSFET-Schaltleistung mosfet FDS9945

Oberflächenberg 8-SOIC Mosfet-Reihen-60V 3.5A 1W
BTA24-600BW 25A ergänzender mosfet Energie der TRIACleiterplatte

BTA24-600BW 25A ergänzender mosfet Energie der TRIACleiterplatte

TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A Through Hole TO-220
Energie TYN612 mosfet-Modul hoher Anstiegs-Fähigkeits-hoher Durchlassstrom-hoher Stoß

Energie TYN612 mosfet-Modul hoher Anstiegs-Fähigkeits-hoher Durchlassstrom-hoher Stoß

SCR 600 V 12 A Standard Recovery Through Hole TO-220
TYN1012RG Leistungs-Mosfet-Transistor SENSITIVE & STANDARD (12A SCRs)

TYN1012RG Leistungs-Mosfet-Transistor SENSITIVE & STANDARD (12A SCRs)

SCR 1 kV 12 A Standard Recovery Through Hole TO-220
FQPF10N20C Hochleistungs-MOSFET-Transistoren Leistungs-MOSFET-IC Leistungs-MOSFET-Transistor 200 V N-Kanal-MOSFET

FQPF10N20C Hochleistungs-MOSFET-Transistoren Leistungs-MOSFET-IC Leistungs-MOSFET-Transistor 200 V N-Kanal-MOSFET

N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Niedriger thermischer Widerstand 100 v-N-Kanal NexFET-Energie MOSFETs CSD19533Q5A

Niedriger thermischer Widerstand 100 v-N-Kanal NexFET-Energie MOSFETs CSD19533Q5A

N-Kanal 100 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 96W (Tc) Berg 8-VSONP (5x6) der Oberflächen-
Empfindliches Tor BT139-800E, 127 Energie Mosfet-Transistorsilikonleistungstransistoren der TRIAC

Empfindliches Tor BT139-800E, 127 Energie Mosfet-Transistorsilikonleistungstransistoren der TRIAC

TRIAC Logik - empfindlicher Flugsteig 800 V 16 A durch Loch TO-220AB
BSS138LT1G-Energie Mosfet-Transistor-Energie MOSFET 200 MA, 50 V N−Channel SOT−23

BSS138LT1G-Energie Mosfet-Transistor-Energie MOSFET 200 MA, 50 V N−Channel SOT−23

Berg SOT-23-3 (TO-236) des N-Kanal-50 V 200mA (Ta) 225mW (Ta) der Oberflächen-
ZXMN10A09KTC 	Energie Mosfet-Transistorschaltleistung mosfet-geringer Energie VERBESSERUNG mosfet-Hochspannungs-N-KANAL-100V

ZXMN10A09KTC Energie Mosfet-Transistorschaltleistung mosfet-geringer Energie VERBESSERUNG mosfet-Hochspannungs-N-KANAL-100V

Berg TO-252-3 des N-Kanal-100 V 5A (Ta) der Oberflächen-2.15W (Ta)
STN3NF06L-N-KANAL 60V - 0.07ohm - MOSFET-Energie Mosfet-⑩Transistor ENERGIE 4A SOT-223 STripFET II

STN3NF06L-N-KANAL 60V - 0.07ohm - MOSFET-Energie Mosfet-⑩Transistor ENERGIE 4A SOT-223 STripFET II

Berg SOT-223 des N-Kanal-60 V 4A (Tc) der Oberflächen-3.3W (Tc)
MMBTA43LT1G-Hochspannungsenergie mosfet-Transistoren, Rf-Energie mosfet-Transistoren

MMBTA43LT1G-Hochspannungsenergie mosfet-Transistoren, Rf-Energie mosfet-Transistoren

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 200 V 50 MA 50MHz 225-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
Mosfet-Transistoren hoher Leistung MMBT4403LT1G zugeschaltete, PNP-Silikonleistungstransistoren

Mosfet-Transistoren hoher Leistung MMBT4403LT1G zugeschaltete, PNP-Silikonleistungstransistoren

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 40 V 600 MA 200MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
MMBT4401LT1G-Schaltleistung Mosfet-Transistorhohe leistung 225 mW PD

MMBT4401LT1G-Schaltleistung Mosfet-Transistorhohe leistung 225 mW PD

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 40 V 600 MA 250MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
Mikroleistungs-Regler der LT1763CS8#PBF-Energie Mosfet-Transistor-LDO integrierter Halbleiter

Mikroleistungs-Regler der LT1763CS8#PBF-Energie Mosfet-Transistor-LDO integrierter Halbleiter

Linear Voltage Regulator IC Positive Adjustable 1 Output 500mA 8-SO
Verdoppeln Transistoren eine 30 Volt-Energie-Graben MOSFET-hoher Leistung FDS4935BZ

Verdoppeln Transistoren eine 30 Volt-Energie-Graben MOSFET-hoher Leistung FDS4935BZ

Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
NDT456P-Energie Mosfet-Transistor-P-Kanal-Feld-Effekt-Transistor

NDT456P-Energie Mosfet-Transistor-P-Kanal-Feld-Effekt-Transistor

P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
2N2646 TRANSISTORschaltleistung mosfet-geringer Energie DES SILIKON-UNIJUNCTION mosfet

2N2646 TRANSISTORschaltleistung mosfet-geringer Energie DES SILIKON-UNIJUNCTION mosfet

Programmable Unijunction Transistor (UJT) 35V 300 mW TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
P-KANAL-ANREICHERUNGSTYP MOSFET ZXMP10A17E6TA 100V mosfet-Grabenenergie mosfet Energie linearer

P-KANAL-ANREICHERUNGSTYP MOSFET ZXMP10A17E6TA 100V mosfet-Grabenenergie mosfet Energie linearer

P-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
1 2 3 4 5 6 7 8