| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ |
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LM25011MY-/NOPBenergie-Regler IC-Schaltspannungs-Regler 42V, KONSTANTE EINSCHALTZEIT 2A, die Ausrichtung SCHALTET
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LM3671LC-1.2/NOPB LM3671MF-3.3/NO Energie-Regler IC-Schaltspannungs-Regler 2MHz, Abwärtsddc 600mA
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OPA340NA/3K 5,5 V Audioendverstärker OP Ampere einzelne mit der Eisenbahn zu befördern Versorgungs-Schiene ICs
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Universelle Stromkreis-Schiene-zu-Schiene SOT-23-5 des Verstärker-1
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Audioop Ampere Einzel-Versorgungs-Schiene-zu-Schiene OPA340UA/2K5 endverstärker ICs
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Universelle Stromkreis-Schiene-zu-Schiene 8-SOIC des Verstärker-1
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OP Ampere Viererkabel JFET-Inp LF347BDR-Audioendverstärker ICs mit breitem Band
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Stromkreis 14-SOIC J-FET Verstärker-4
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OPA4192ID-Audioendverstärker IC OPampere, E-Trim™ Reihe 14-SOIC -40 bis 125
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Universelle Stromkreis-Schiene-zu-Schiene 14-SOIC des Verstärker-4
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Spannungs-Regler lärmarmes 100Ma LDO LP5900SD-2.5/NOPB Energie-Regler ICs LDO
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SN74LS86ANSR Integrierter Schaltkreis-Chip-Programmspeicher-LCD-Controller-ICs
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Kanal 14-SO XOR (Exklusives ODER) IC 4
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TC4429CPA-npn universelle Transistor Energie Mosfet-Transistor 6A Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Fahrer
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Niedrig-seitiger Tor-Fahrer IC Inverting 8-PDIP
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TPS2211AIDBR SINGLE-SLOT PC CARD POWER INTERFACE SWITCH, Schaltleistungs-MOSFET
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Power Switch/Driver 3:2 1A 16-SSOP
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TRANSISTOR-REIHEN-Prüfungshochspannungsleistungstransistoren ULN2003APWR HOCH-GEGENWÄRTIGE DARLICM GROUPON
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Netzschalter-/Fahrer1:1 DarliCM GROUPon 500mA 16-TSSOP
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LTC3851EUD-PBF elektronische IC Komponenten treten Spannungsregler-Prüfer IC zurück
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Industriekompatibler Audioendverstärker IC LM2904DR Simplify Circuit Design
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Allzweckverstärker 2 Schaltung 8-SOIC
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SN74LVC1G125DBVR Integrierter Schaltkreis-Chip-Programmspeicher-LCD-Controller-ICs
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Der Puffer, 1 Element 1 Nicht-umwandelnd, das pro Element 3-State gebissen wurde, gab SOT-23-5 aus
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AD8676ARZ-Audioendverstärker IC-Präzisions-Verstärker 36V 2.8nV/Hz ultra Prec Doppel-RRIO
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Universelle Stromkreis-Schiene-zu-Schiene 8-SOIC des Verstärker-2
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Energie SGP02N120 Mosfet-Transistor schnelles S-IGBT in der NPT-Technologie
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IGBT NPT 1200 V 6,2 A 62 W durch Loch PG-TO220-3-1
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IC-Energie MOSFET Energie PVT312L Relais-Energie Mosfet-Transistor Mikroelektronische photo-voltaischer
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Festzustand SPST-NO (1 Form A) 6-DIP (0,300", 7.62mm)
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Universelle BTA Reihe des Wechselstrom-TRIAC-Dimmer-Schalter-BTA41-600BRG 40A
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TRIAC Standard 600 V 40 A durch Loch TOP3
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FSCQ1265RTYDTU-Energie Mosfet-Transistor-Grün-Modus-Fairchild-Netzschalter
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Konverter-Offlinerücklauf-Topologie 20kHz TO-220F-5L (Formung)
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SN74HC164N Integrierter Schaltkreis-Chip-Programmspeicher-LCD-Controller-ICs
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Bit 14-PDIP des Schiebeschieberegister-1 des Element-8
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Mosfet-Hochspannungsmacht mosfet-Thyristoren der geringen Energie kontrollierten der Gleichrichter des Silikon-MCR100-6
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THYRISTOR-STÖRUNGSBESUCH 0.8A 400V TO92
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NTF3055L108T1G-Energie Mosfet-Transistor 3,0 ein Graben-Energie mosfet mit 60 V linearer
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N-Channel 60 V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
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IXFX27N80Q Leistungs-MOSFET-Transistor HiPerFET-Leistungs-MOSFETs Q-KLASSE
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N-Channel 800 V 27A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
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SN74LS07DR Integrierter Schaltkreis-Chip-Programmspeicher-LCD-Controller-ICs
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Puffer, das Element 1 Nicht-umwandelnd 6 gebissen pro Element-Open-Collector-Ertrag 14-SOIC
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Hochspannungsenergie Mosfet-Transistor BTA16-600BRG 16A TRIAC BTA/BTB 16
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TRIAC Standard 600 V 16 A durch Loch TO-220
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Energie MMBF170 Mosfet-Transistor, N - Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor
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Berg SOT-23-3 des N-Kanal-60 V 500mA (Ta) der Oberflächen-300mW (Ta)
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60V N - Kanal-Energie-Graben MOSFET-Schaltleistung mosfet FDS9945
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Oberflächenberg 8-SOIC Mosfet-Reihen-60V 3.5A 1W
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BTA24-600BW 25A ergänzender mosfet Energie der TRIACleiterplatte
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TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A Through Hole TO-220
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Energie TYN612 mosfet-Modul hoher Anstiegs-Fähigkeits-hoher Durchlassstrom-hoher Stoß
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SCR 600 V 12 A Standard Recovery Through Hole TO-220
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TYN1012RG Leistungs-Mosfet-Transistor SENSITIVE & STANDARD (12A SCRs)
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SCR 1 kV 12 A Standard Recovery Through Hole TO-220
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LM119H-Doppelkomparator-Energie mosfet IC, HOHE GESCHWINDIGKEIT der Elektronik-integrierten Schaltungen
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Comparator General Purpose DTL, Open-Collector, RTL, TTL TO-100-10
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Niedriger thermischer Widerstand 100 v-N-Kanal NexFET-Energie MOSFETs CSD19533Q5A
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N-Kanal 100 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 96W (Tc) Berg 8-VSONP (5x6) der Oberflächen-
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Empfindliches Tor BT139-800E, 127 Energie Mosfet-Transistorsilikonleistungstransistoren der TRIAC
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TRIAC Logik - empfindlicher Flugsteig 800 V 16 A durch Loch TO-220AB
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BSS138LT1G-Energie Mosfet-Transistor-Energie MOSFET 200 MA, 50 V N−Channel SOT−23
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Berg SOT-23-3 (TO-236) des N-Kanal-50 V 200mA (Ta) 225mW (Ta) der Oberflächen-
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ZXMN10A09KTC Energie Mosfet-Transistorschaltleistung mosfet-geringer Energie VERBESSERUNG mosfet-Hochspannungs-N-KANAL-100V
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Berg TO-252-3 des N-Kanal-100 V 5A (Ta) der Oberflächen-2.15W (Ta)
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STN3NF06L-N-KANAL 60V - 0.07ohm - MOSFET-Energie Mosfet-⑩Transistor ENERGIE 4A SOT-223 STripFET II
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Berg SOT-223 des N-Kanal-60 V 4A (Tc) der Oberflächen-3.3W (Tc)
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MMBTA43LT1G-Hochspannungsenergie mosfet-Transistoren, Rf-Energie mosfet-Transistoren
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 200 V 50 MA 50MHz 225-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Mosfet-Transistoren hoher Leistung MMBT4403LT1G zugeschaltete, PNP-Silikonleistungstransistoren
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 40 V 600 MA 200MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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MMBT4401LT1G-Schaltleistung Mosfet-Transistorhohe leistung 225 mW PD
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 40 V 600 MA 250MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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NDT456P-Energie Mosfet-Transistor-P-Kanal-Feld-Effekt-Transistor
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P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
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2N2646 TRANSISTORschaltleistung mosfet-geringer Energie DES SILIKON-UNIJUNCTION mosfet
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Programmable Unijunction Transistor (UJT) 35V 300 mW TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
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P-KANAL-ANREICHERUNGSTYP MOSFET ZXMP10A17E6TA 100V mosfet-Grabenenergie mosfet Energie linearer
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P-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
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NDT452AP Leistungs-Mosfet-Transistor P-Kanal-Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor
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P-Channel 30 V 5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
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FQPF10N20C Hochleistungs-MOSFET-Transistoren Leistungs-MOSFET-IC Leistungs-MOSFET-Transistor 200 V N-Kanal-MOSFET
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N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
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NPN-Energie Mosfet-Transistor-verriegelt doppelter Transistor-Ertrag 3-State 74AHCT595PW, 118
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Bit 16-TSSOP des Schiebeschieberegister-1 des Element-8
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100V 80A, Energie 9mз Mosfet-Transistor qualifiziert zu Fähigkeit FDB3632 EGZ Q101 UIS
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N-Kanal 100 V 12A (Ta), 310W (Tc) Berg D der Oberflächen-80A (Tc) ² PAK (TO-263)
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N - Kanal 600 V 2,0? Mosfet-Transistor NDD04N60ZT4G Ohmrf-hoher Leistung
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Berg DPAK des N-Kanal-600 V 4.1A (Tc) der Oberflächen-83W (Tc)
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HA16108FP-E 600kHz programmierbares IC bricht PWM-Spannungsregler-Prüfervollbrückegleichrichter ab
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Regler gab DC-DC Prüfer IC aus
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Abwärtsregler SPM6530, der von Kontrolleur IC Synchronous DC-DC und Energie MOSFET enthält
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2.2 µH Shielded Drum Core, Wirewound Inductor 8.2 A 19mOhm Max Nonstandard
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TL494CDR TL494CN Prüfer der Energie-Weg-Management IC-Schaltersteuerungs-PWM
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Dollar, Auftrieb, Rücklauf, Spannungswandler, Vollbrücke, Halbbrücke, Gegentaktregler-Positiv gab Au
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