| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ |
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ER1002FCT-ISOLIERUNGS-SUPERSCHNELLE WIEDERAUFNAHME-GLEICHRICHTERdoppelenergie mosfet-Audioenergie mosfet
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Diode Array 1 Pair Common Cathode 200 V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack
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Hersteller
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NDT456P-Energie Mosfet-Transistor-P-Kanal-Feld-Effekt-Transistor
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P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
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Hersteller
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PBSS4112PANP, 115 niedriger VCEsat (BISS) Transistor Energie Mosfet-Transistors NPN/NPN
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Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 120V 1A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
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Hersteller
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Transistor des Energie RJH60F7ADPK-00#T0 Mosfet-Transistor-Silikon-N des Kanal-IGBT
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IGBT Trench 600 V 90 A 328.9 W Through Hole TO-3P
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Hersteller
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2N2646 TRANSISTORschaltleistung mosfet-geringer Energie DES SILIKON-UNIJUNCTION mosfet
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Programmable Unijunction Transistor (UJT) 35V 300 mW TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
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Hersteller
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P-KANAL-ANREICHERUNGSTYP MOSFET ZXMP10A17E6TA 100V mosfet-Grabenenergie mosfet Energie linearer
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P-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
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Hersteller
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Energie STP75NF75 Mosfet-Transistor npn universeller Transistor
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N-Channel 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
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Hersteller
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Kühler MOS™ Leistungstransistor Energie SPW47N60C3FKSA1 Mosfet-Transistor-
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N-Channel 650 V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
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Hersteller
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Energie SPW47N60CFDFKSA1 Mosfet-Transistorhochspannungsenergie mosfet
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N-Channel 600 V 46A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
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Hersteller
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Leistungstransistoren des Energie 2SC2073 Mosfet-Transistor-Silikon-NPN mit Paket TO-220
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 1.5 A 4MHz 1.5 W Through Hole TO-220AB
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Hersteller
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2SD667 Epitaxial- Transistor des Silikon-NPN, Elektronik-Teiltransistor
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Bipolar (BJT) Transistor
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Hersteller
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Der hohen Leistung 2SD669A Leistungstransistoren des Mosfet-Transistor-Silikon-NPN
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 1.5 A 140MHz 1 W Through Hole TO-126
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Hersteller
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NTR2101PT1G-Energie Mosfet-Transistor-Programm IC Chip Memory IC
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P-Channel 8 V 3.7A (Ta) 960mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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Energie BD237 Mosfet-Transistor, Leistungstransistoren der Niederspannung NPN
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 2 A 25 W Through Hole SOT-32-3
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Hersteller
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Energie BCV49 Mosfet-Transistor, NPN-Silikon-DarliCM GROUPon Transistors High-Kollektorstrom
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 500 mA 220MHz 1.3 W Surface Mount SOT-89
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Hersteller
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FDS9435A-Energie Mosfet-Transistor einzelnes P - Kanal-Feld-Effekt-Transistor
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P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
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Hersteller
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Plastikpaket-Transistoren 2SC2482 TO-92 (NPN), universeller Npn-Transistor
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
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Hersteller
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Kanal-Logik PowerTrench MOSFET FDS6990A-Energie Mosfet-Transistor-Doppeln
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Mosfet Array 30V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
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Hersteller
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KBPC5010 50.0A Energie digitale IC Stromkreise des Mosfet-Transistor-einphasig-Silikon-Brückengleichrichters
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Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Chassis Mount KBPC
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Hersteller
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Mosfet-Transistor 130 Generalvollmacht IRLB4030PBF HEXFET ein ununterbrochener Abfluss-Strom
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N-Channel 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Hersteller
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Einzelnes 2 eingegebenes Exklusives SN74LVC1G86DBVR oder Tor-Mikrochips und integrierte Schaltungen
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XOR (Exclusive OR) IC 1 Channel SOT-23-5
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Hersteller
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Graben Audiomosfet energie IRF1407PBF HEXFET, Energie mosfet 92 A
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N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Hersteller
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Silikon-Hochspannungstransistoren MMBTA42LT1G-Energie Mosfet-Transistor-NPN
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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Schalttransistor Energie PMBT3906 Mosfet-Transistors PNP
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Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 200mA 250MHz 350mW Surface Mount 6-TSSOP
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Hersteller
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DM0565R Power Mosfet Transistor Green Mode Fairchild Power Switch (FPS)
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IC OFFLINE SW FLBACK TO220F-6L
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Hersteller
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TAJB226K016RNJ Universelle digitale integrierte Schaltkreise der SMT-Chip-Tantal-Serie
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22 µF Molded Tantalum Capacitors 16 V 1411 (3528 Metric), 1210 2.3Ohm
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Hersteller
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TIP107 DarliCM GROUPon Power Transistors (PNP) komplementäre Silizium-Leistungstransistoren
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Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
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Hersteller
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TIC116M-S SILIKONGESTEUERTE GLEICHRICHTER Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode SR360
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SCR 600 V 8 A Standard Recovery Through Hole TO-220
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Hersteller
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MMBT5551LT1G Power Mosfet Transistor Hochspannungstransistoren NPN Silizium
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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P3NK90ZFP Leistungs-MOSFET-Transistor N-KANAL-SCHALTER-Leistungs-MOSFET
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N-Channel 900 V 3A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
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Hersteller
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SS8550 Y2 Power Mosfet Transistor SOT-23 Transistoren mit Kunststoffkapselung
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 1.5 A 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23
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Hersteller
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2SB1316TL Leistungstransistor Low Power Mosfet Schaltleistung Mosfet
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Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 100 V 2 A 50MHz 10 W Surface Mount CPT3
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Hersteller
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TK10P60W Leistungs-MOSFET-Transistor-MOSFETs Silizium-N-Kanal-MOS
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N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
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Hersteller
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Power Mosfet Modul CD4028BM96 Bcd-zu-Cecimal Decoder LCD TV Platine
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Decoder 1 x 4:10 16-SOIC
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Hersteller
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Power Mosfet Ic 2SA1837 Power Mosfet Transistor Silizium PNP Leistungstransistoren
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 1 A 70MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
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FDN304PZ-P-Kanal 1.8V spezifizierte Energie-Graben MOSFET-Schaltleistung Mosfet
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P-Channel 20 V 2.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
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Hersteller
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ILD620GB Optokoppler, Fototransistor-Ausgang, AC-Eingang (Dual, Quad Channel), 8-poliger IC-Chip
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Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 2 Channel 8-DIP
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Hersteller
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Dynamischer dV/dt-Wert IRFP240PBF Leistungs-MOSFET-Transistor Schnell schaltender Leistungs-MOSFET
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N-Channel 200 V 20A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
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Hersteller
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MJL21193 MJL21194 Leistungs-MOSFET-Modul Silizium-Leistungstransistoren
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-264
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Hersteller
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MPSA42 Leistungs-Mosfet-Transistor NPN-Hochspannungstransistoren mit geringem Strom
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
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Hersteller
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NDT452AP Leistungs-Mosfet-Transistor P-Kanal-Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor
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P-Channel 30 V 5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
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Hersteller
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STF21NM50N Leistungs-MOSFET-Transistor N-KANAL MDmesh-MOSFET DER ZWEITEN GENERATION
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N-Channel 500 V 18A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
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Hersteller
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STGW20NC60VD-Energie mosfet-Modul N-KANAL sehr schnelles PowerMESH IGBT
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IGBT 600 V 60 A 200 W Through Hole TO-247-3
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Hersteller
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SUM110P06-07L-E3 Leistungs-MOSFET-Transistor P-Kanal 60 V (D-S) 175 ℃ MOSFET
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P-Channel 60 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
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Hersteller
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TIP32C Power Mosfet Transistor Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220
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BD439 Leistungs-Mosfet-Modul Kunststoff-NPN-Transistor aus Silizium mit mittlerer Leistung
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126
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BTA08-600BW3G Energie Mosfet-Transistor 8A TRIAC TRIAC-SNUBBERLESS
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TRIAC Standard 600 V 8 A Through Hole TO-220AB
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PMBT2907A Leistungs-MOSFET-Transistor Niederspannungs-PNP-Schalttransistoren
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Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 600mA 200MHz 550mW Surface Mount 6-TSSOP
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Tlp627-4 Programmierbare Steuerungen, DC-Ausgangsmodul, Telekommunikationstransistor-Äquivalent
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Optoisolator DarliCM GROUPon Output 5000Vrms 4 Channel 16-DIP
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CNY74-2H Silizium-Leistungstransistoren Mehrkanal-Optokoppler mit Fototransistor-Ausgang
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Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 2 Channel 8-DIP
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Hersteller
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