| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ |
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PS2805C-1-F3-A HOHE Leiterplatte EINGEGEBENES Wechselstroms ISOLIERUNGS-Vol. TAGE IC
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Lichtdämpfer-Transistor gab 2500Vrms 1 Kanal 4-SSOP aus
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Hersteller
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SLA6020 Prüfungsleistungstransistoren 3-phasigen Motorantriebs PNP + NPN DarliCM GROUPon
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Bipolares (BJT) Transistor-Array 3 NPN, 3 PNP DarliCM GROUPon (3-Phasen-Brücke) 100 V 5 A 5 W Durchg
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Hersteller
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Führte rückstellbarer Gerät-kurze Form-Katalog 12v RXEF090 PolySwitch™ Leiterplatte
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Polymerische rückstellbare Sicherung 72V 900 MA Ih PTC durch Loch-Radialstrahl, Diskette
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Hersteller
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Elektrischer IC HEXFET Energie MOSFET IRL3713PBF-Energie Mosfet-Transistor-
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N-Kanal 30 V 260A (Tc) 330W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Hersteller
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NTD5802NT4G treiben mosfet Schaltleistung MOSFET 40 V an
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N-Channel 40 V 16.4A (Ta), 101A (Tc) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Surface Mount DPAK
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Hersteller
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Passivierte Oberflächenglas des berg-EGL41D-E3/97 ultraschnelles Doppeldiodenmodell des Gleichrichters
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Oberflächenberg DO-213AB der Dioden-200 V 1A
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Hersteller
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NDS9952A-Energie Mosfet-Transistor Doppeln u. P-Kanal-Feld-Effekt-Transistor
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Mosfet-Array 30 V, 3,7 A, 2,9 A, 900 mW, Oberflächenmontage, 8-SOIC
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Hersteller
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Energie SGP02N120 Mosfet-Transistor schnelles S-IGBT in der NPT-Technologie
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IGBT NPT 1200 V 6,2 A 62 W durch Loch PG-TO220-3-1
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Hersteller
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Mittlere Leistungstransistoren Energie BCP56-16 Mosfet-Transistors NPN
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Bipolarer (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 1,6 W Oberflächenmontage SOT-223
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TIP41C-Energie Mosfet-Modul-Transistor-ergänzende Silikon-Leistungstransistoren
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Bipolarer (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 65 W Durchgangsloch TO-220
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Hersteller
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Energie TIP120 Mosfet-Transistor-ergänzende Silikon-Transistoren
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 60 V 5 A 2 W durch Loch TO-220
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Hersteller
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Niedrige Sättigungs-Spannungs-große gegenwärtige der hohen Leistung des Kollektor-2SB1151-Y-BP Mosfet-Transistoren
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 5 A W 1,25 durch Loch TO-126
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Hersteller
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Epitaxial- planare Art des Energie 2SB1219A Mosfet-Transistor-Silikon-PNP
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 50 V 500 MA 200MHz 150-mW-Oberflächenberg SMini3-G1
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Hersteller
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Der Leistungstransistor-hohen Leistung BD442 PNP Mosfet-Transistor/Energie Mosfet IC
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Bipolarer (BJT) Transistor PNP 80 V 4 A 3 MHz 36 W Durchgangsloch TO-126
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Hersteller
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Energie 2N5486 Mosfet-Transistor-N-Kanal-HF-Verstärker N-KANAL JFETS
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Rf Mosfet 15 V 4 MA 400MHz TO-92-3
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Hersteller
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Energie FDS6975 Mosfet-Modul Doppelp - Kanal, PowerTrenchTM MOSFET
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Mosfet Array 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
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IRF7601PBF universeller Kanal mosfet-Energie Mosfet-Transistor-N
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Berg Micro8™ des N-Kanal-20 V 5.7A (Ta) der Oberflächen-1.8W (Ta)
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Energie 200A Mosfet-Transistor-schneller Schaltleistung MOSFET IRFP260NPBF
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N-Kanal 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) durch Loch TO-247AC
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Hersteller
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IRFR9120N-Energie Mosfet-Transistor P - Kanalschaltleistung mosfet
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P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
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P10NK80ZFP-smd Energie mosfet-Energie Mosfet-Transistor N-KANAL Zener-geschützter SuperMESHPower⑩ MOSFET
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N-Kanal 800 V 9A (Tc) 40W (Tc) durch Loch TO-220FP
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Mosfet-Transistor der geringen Energie Dmg2307l-7, Energie mosfet-Modul Tief auf Widerstand
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P-Kanal 30 V 2,5 A (Ta) 760 mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3
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Mosfet-Transistor Energie NJW0281G NJW0302G, Leistungstransistoren NPN PNP
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Bipolarer (BJT) Transistor NPN 250 V 15 A 30 MHz 150 W Durchgangsloch TO-3P-3L
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Schaltleistung TIP50 Mosfet-Transistor, Hochspannungsenergie mosfet
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1 A 10MHz 2 W Through Hole TO-220
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Mosfet-Transistor Schaltleistung NJW0302G ergänzender, NPN - PNP-Energie-bipolar Transistor
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
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Hersteller
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SI7846DP-T1-E3 N mosfet IC, Elektronik-Teiltransistor Energie Kanals 150-V (D-S)
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N-Channel 150 V 4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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Universeller Transistor Energie BC327-40 Mosfet-Transistors PNP
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Bipolarer (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100 MHz 625 mW Durchgangsloch TO-92
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Transistor des Energie BD440 Mosfet-Transistor-Energie-Silikon-PNP
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Bipolarer (BJT) Transistor PNP 60 V 4 A 3 MHz 36 W Durchgangsloch TO-126
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Energie FS3KM-9A#B00 Mosfet-Transistorhochgeschwindigkeitsschaltleistung mosfet
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2SK3564 Kanal-MOS Type Switching Regulator Applications-Schaltleistung mosfet des Silikon-N
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N-Channel 900 V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
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Hersteller
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BTA24-600BW 25A ergänzender mosfet Energie der TRIACleiterplatte
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TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A Through Hole TO-220
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Mosfet-Transistoren der P4NK60ZFP-Energie Mosfet-Transistorhohen leistung
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N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
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MOSFET N-Kanal Energie FQP30N06 Mosfet-Transistorenergie mosfet IC
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N-Channel 60 V 30A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220-3
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PLANARER (MITTLERE LEISTUNGSTRANSISTOREN) mosfet Schaltleistung SILIKONS ZTX653 NPN
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 175MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
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Hersteller
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DER SILIKON-PLANAREN MITTLEREN LEISTUNGSTRANSISTOREN ZTX753 PNP mosfet-smd Energie mosfet energie Audio
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 2 A 140MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
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Hersteller
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IRFB20N50KPBF-Energie Mosfet-Transistorenergie mosfet IC
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N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Hersteller
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SILIKON-des PLANAREN MITTLERE ENERGIE-HOHEN GEGENWÄRTIGEN TRANSISTORS ZTX958STZ PNP Hochspannungsmosfet energie
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 400 V 500 mA 85MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
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Hersteller
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2SA1761, F (J-Energie Mosfet-Transistor-Elektronik-Komponenten brechen IC-Elektronik ab
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 3 A 100MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
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Hersteller
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P-KANAL-ANREICHERUNGSTYP MOSFET-geringer Energie ZXMP6A13FTA 60V mosfet
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P-Channel 60 V 900mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
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Hersteller
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ZVN3306FTA-TRANSISTOR SOT23 SMD linearer mosfet Energie MOSFET
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N-Channel 60 V 150mA (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
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Hersteller
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Energie TYN612 mosfet-Modul hoher Anstiegs-Fähigkeits-hoher Durchlassstrom-hoher Stoß
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SCR 600 V 12 A Standard Recovery Through Hole TO-220
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Hersteller
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Silikon-Transistorschaltleistung mosfet TIP42CTU PNP Epitaxial-, mosfet der geringen Energie
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
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Leistungstransistorschaltleistung mosfet-geringer Energie TIP35C-Silikon-NPN mosfet
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-247-3
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Energie 2SK1582 Mosfet-Transistor-Elektronik-Komponenten brechen IC ab
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Einphasiges lineare Energie KBP210 Mosfet-Graben-Energie Mosfet 2,0 Ampere passivierte Glasbrückengleichrichter-
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Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBP
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Hersteller
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EINPHASIGER mosfet-Grabenenergie mosfet Energie DER KBU810 BRÜCKENGLEICHRICHTER linearer
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Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBU
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NTF3055L108T1G-Energie Mosfet-Transistor 3,0 ein Graben-Energie mosfet mit 60 V linearer
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N-Channel 60 V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
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TL431AQDBZR, 215 justierbare Präzisions-Weichen-Regler integrierte Halbleiter
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Shunt Voltage Reference IC Adjustable 2.495V 36 VV ±1% 100 mA TO-236AB
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Mosfet-geringer Energie Schaltleistung MJD122G ergänzender DarliCM GROUPon Power Transistor mosfet
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 4MHz 20 W Surface Mount DPAK
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Graben-Energie Mosfet-Transistor FDS5690 60V, smd linearer Energie mosfet
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N-Channel 60 V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
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ER1004FCT-ISOLIERUNGS-mosfet-Hochspannungsenergie mosfet der SUPERSCHNELLEN WIEDERAUFNAHME-GLEICHRICHTERgeringen energie
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Diode Array 1 Pair Common Cathode 400 V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack
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Hersteller
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