| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ |
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ULN2803AFWG-Oktalhochspannung, hoher gegenwärtiger DarliCM GROUPon Transistor Arrays Power Mosfet-Transistor
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Zweipoliger Oberflächenberg 18-SOP des Transistor-(BJT) der Reihen-8 NPN DarliCM GROUPon 50V 500mA 1
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Hersteller
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Mosfet-Energie Mosfet-Transistor-Mehrkanaloptokoppler CNY74-4H geringer Energie mit Fototransistor-Ertrag
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Optoisolator-Transistor-Ausgang 5300 Vrms 4 Kanäle 16-DIP
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Hersteller
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ZXMN10A09KTC Energie Mosfet-Transistorschaltleistung mosfet-geringer Energie VERBESSERUNG mosfet-Hochspannungs-N-KANAL-100V
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Berg TO-252-3 des N-Kanal-100 V 5A (Ta) der Oberflächen-2.15W (Ta)
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Hersteller
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Energie MRF9030GNR1 mosfet-Modul treiben Mosfet-Transistor Rf-ENERGIE-FELD-EFFEKT-TRANSISTOREN an
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MÖVE Rf Mosfet TO-270-2
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Hersteller
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S9012 TO-92 Plastik-kapseln mosfet-Hochspannungsenergie mosfet der Transistorgeringen energie ein
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 25 V 500 MA 150MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Hersteller
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STN3NF06L-N-KANAL 60V - 0.07ohm - MOSFET-Energie Mosfet-⑩Transistor ENERGIE 4A SOT-223 STripFET II
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Berg SOT-223 des N-Kanal-60 V 4A (Tc) der Oberflächen-3.3W (Tc)
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Hersteller
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Energie STD4NK60ZT4 mosfet-Modul Energie Mosfet-Transistor TRANSISTOR | MOSFET | N-KANAL | TO-252AA
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Berg DPAK des N-Kanal-600 V 4A (Tc) der Oberflächen-70W (Tc)
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Hersteller
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SI4436DY-T1-E3 N-Kanal 60-V (D-S) mosfet MOSFET-Schaltleistung mosfet-geringer Energie
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N-Kanal 60 V 8A (Tc) 2.5W (Ta), Berg 8-SOIC der Oberflächen-5W (Tc)
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Hersteller
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Der ISL9V3040D3S-Transistor-integrierten Schaltung Chip goldener IC Lieferant IC-Elektronik-Chinas
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Oberflächenberg TO-252AA IGBT 430 V 21 A 150 W
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Hersteller
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VORÜBERGEHENDE SUPPERSSORS IC Chiphersteller der Komponenten IC SN75240PWR-USB-PORTS
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Hersteller
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TIP127 mosfet-Doppelenergie mosfet Hochspannungsenergie des Silikons PNP DarliCM GROUPon Power Transistors
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W durch Loch TO-220
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Hersteller
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SI7336ADP-T1-E3 N-Kanal 30-V (D-S) mosfet-Hochspannungsenergie mosfet MOSFET-geringer Energie
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N-Channel 30 V 30A (Ta) 5.4W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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IC-Energie MOSFET Energie PVT312L Relais-Energie Mosfet-Transistor Mikroelektronische photo-voltaischer
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Festzustand SPST-NO (1 Form A) 6-DIP (0,300", 7.62mm)
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Hersteller
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Npn BC817-25 universeller Transistor Energie Mosfet-Transistor SOT-23 BIPOLAR TRANSISTOR-TRANSISTOR (NPN)
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-323
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Hersteller
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BD682G-npn darliCM GROUPon Leistungstransistor Energie Mosfet-Transistor Plastik-Medium−Power-Silikon PNP DarliCM GROUPons
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 4 A 40 W durch Loch TO-126
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Hersteller
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NTR1P02LT1G treiben MOSFET -20 V, -1,3 A, Pakethochspannungsenergie mosfet des P-Kanal-SOT-23 an
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Universeller Transistor BC548B-npn darliCM GROUPon Leistungstransistor Energie Mosfet-Transistor-NPN
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 30 V 100 MA 500 mW durch Loch TO-92
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Hersteller
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Ergänzender Anreicherungstyp PHC21025 MOS-Transistorschaltleistung mosfet
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Mosfet Array
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Transistor-Schaltleistung mosfet PBSS4320T 20 V NPN niedriger VCEsat
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 20 V 2 ein 100MHz 540-mW-Oberflächenberg TO-236AB
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Hersteller
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PBSS5320T, 215 20 V, 3 ein Audiomosfet energie niedrigen VCEsat (BISS) Transistors PNP
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 20 V 2 ein 100MHz 540-mW-Oberflächenberg TO-236AB
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Hersteller
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Des Chipbrettes des WIDERSTREBENDEN SENSORS 2SS52M MAGNETELEKTRISCHER MASCHINE elektronischer integrierter Halbleiter
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Digital-Schalter Omnipolar-Schalter magnetoresistentes OPEN-COLLECTOR-TO-92-3
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Hersteller
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N - Kanal 600 V 2,0? Mosfet-Transistor NDD04N60ZT4G Ohmrf-hoher Leistung
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Berg DPAK des N-Kanal-600 V 4.1A (Tc) der Oberflächen-83W (Tc)
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Hersteller
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Der Elektronik-integrierten Schaltungen BFQ67W SOT-23 Silikon NPN ergänzender planarer Rf-Transistor
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Oberflächenberg SC-70 Rf-Transistor-NPN 10V 50mA 8GHz 300mW
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Hersteller
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A1302KUA-Energie Mosfet-Transistor-ununterbrochene Zeit Ratiometric linearer Hall Effect Sensors
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Hall Effect Sensor Single Axis 3-SIP
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Hersteller
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MMBTA43LT1G-Hochspannungsenergie mosfet-Transistoren, Rf-Energie mosfet-Transistoren
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 200 V 50 MA 50MHz 225-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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Mosfet-Transistoren hoher Leistung MMBT4403LT1G zugeschaltete, PNP-Silikonleistungstransistoren
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 40 V 600 MA 200MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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MMBT4401LT1G-Schaltleistung Mosfet-Transistorhohe leistung 225 mW PD
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 40 V 600 MA 250MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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Ergänzende Leistungstransistoren MJD42CG-Hochspannungsdoppelenergie mosfet
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 100 V 6 ein Oberflächenberg 1,75 3MHz W DPAK
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Hochspannungsergänzender Verdoppelungmosfet Energie MJD41CT4G für universellen Verstärker
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 3MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
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Hersteller
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Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistorschaltleistung mosfet-geringer Energie des P-Kanal-AO4449 mosfet
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Berg 8-SOIC des P-Kanal-30 V 7A (Ta) der Oberflächen-3.1W (Ta)
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Hersteller
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Der Mosfet-Transistor-integrierten Schaltung Energie IRLR2905TRPBF TO-252 IC-Elektronik Chip
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Berg D-PAK des N-Kanal-55 V 42A (Tc) der Oberflächen-110W (Tc)
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Hersteller
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Mosfet-Transistoren MJD112T4G-hoher Leistung, ergänzende DarliCM GROUPon Power Transistors
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 100 V 2 ein Oberflächenberg DPAK 25MHz 20 W
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Hersteller
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Energie MMBF170 Mosfet-Transistor, N - Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor
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Berg SOT-23-3 des N-Kanal-60 V 500mA (Ta) der Oberflächen-300mW (Ta)
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Hersteller
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Mosfet-Hochspannungsmacht mosfet-Thyristoren der geringen Energie kontrollierten der Gleichrichter des Silikon-MCR100-6
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THYRISTOR-STÖRUNGSBESUCH 0.8A 400V TO92
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Hersteller
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TRIAC MAC97A6 treiben Mosfet-Transistor 0,8 AMPERE-Effektivwert 200 - 600 VOLT an
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TRIAC Logik - empfindlicher Flugsteig 400 V 600 MA durch Loch TO-92 (TO-226)
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Hersteller
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BC807-40 SOT-23 BIPOLAR TRANSISTOR-TRANSISTOR (PNP) PNP integrierter Halbleiter universellen Verstärkers
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Hersteller
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TRIAC-empfindliche Tor-Energie Mosfet-Transistor Alternistor-TRIAC Energie Q6012LH5 mosfet IC
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TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 12 A durch Loch TO-220 lokalisierte Vorsprung
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Hersteller
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BFG541 NPN der transistorhohen leistung mit 9 Gigahertz Breitbandmosfet-Transistorrf-Energie mosfet-Transistoren
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Oberflächenberg SC-73 Rf-Transistor-NPN 15V 120mA 9GHz 650mW
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Hersteller
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P-Kanal PowerTrench MOSFET SI4435DY-Grabenenergie mosfet-Energie Mosfet-Transistor-30V
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Berg 8-SOIC des P-Kanal-30 V 8.8A (Ta) der Oberflächen-2.5W (Ta)
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Hersteller
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BD912 TO-220 - Leistungstransistor- und DarliCM GROUPons-Energie mosfet-Modulenergie mosfet IC
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 100 V 15 ein 3MHz 90 W durch Loch TO-220
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Hersteller
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BD136 Leistungstransistorder geringen energie des Silikon-PNP mosfet-Hochspannungsenergie mosfet
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 1,5 A W 1,25 durch Loch SOT-32-3
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Hersteller
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DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED DIFFERENZIELLER BERG-TRANSISTOR-Energie mosfet-Modulenergie mosfet IC OBERFLÄCHEN-SOT-23
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Vorgespannter Bipolartransistor (BJT) NPN – vorgespannt 50 V, 100 mA, 250 MHz, 200 mW, Oberflächenmo
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Hersteller
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Universeller Transistor Energie BC807-25 Mosfet-Transistors PNP
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Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Hersteller
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Mosfet-hoher Leistung Energie IRLML2402TRPBF HEXFET® mosfet-Transistoren
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Berg Micro3™/SOT-23 des N-Kanal-20 V 1.2A (Ta) der Oberflächen-540mW (Ta)
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Hersteller
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Mosfet lineare Energie Energie IRFR9214 MOSFET universeller mosfet
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Berg D-PAK des P-Kanal-250 V 2.7A (Tc) der Oberflächen-50W (Tc)
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Energie STGB7NC60HDT4 Mosfet-Transistor- schnelle Energie MASCHE IGBT
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IGBT 600 V 25 A 80 W Oberflächenmontage D2PAK
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Hersteller
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Verdoppeln Transistoren eine 30 Volt-Energie-Graben MOSFET-hoher Leistung FDS4935BZ
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Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
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Hersteller
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60V N - Kanal-Energie-Graben MOSFET-Schaltleistung mosfet FDS9945
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Oberflächenberg 8-SOIC Mosfet-Reihen-60V 3.5A 1W
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Mosfet-Transistors Energie MJE15032G MJE15033G ergänzender mosfet Energie
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Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 250 V 8 ein 30MHz 50 W durch Loch TO-220
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Hersteller
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SFH6206-2T Optokoppler-Energie Mosfet-Transistor-Fototransistor-Ertrag, Wechselstrom gab Leiterplatte IC ein
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Lichtdämpfer-Transistor gab 5300Vrms 1 Kanal 4-SMD aus
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Hersteller
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