| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ |
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Silikon-Transistor-Vorlage 2SC5242 3 Pin Transistor NPN Epitaxial-
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 130 W Through Hole TO-3P
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Hersteller
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Transistor hoher Leistung Pin Transistors BD249C-S NPN der Vorlagen-3 25A 125W
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3 W Through Hole SOT-93
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Hersteller
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3 Pin Power Mosfet Module Advanced Verfahrenstechnik IRL540NPBF
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N-Channel 100 V 36A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Hersteller
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BT136-600E Thyristor-Produkt-Katalog-TRIAC-empfindliches Tor-hohe Empfindlichkeit
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TRIAC Logic - Sensitive Gate 600 V 4 A Through Hole TO-220AB
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Hersteller
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Graben-Energie Mosfet IC IRF1404PBF brachte ultra niedrigen Auf-Widerstand voran
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N-Channel 40 V 202A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Hersteller
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Schneller tatsächlicher Gleichrichter Schaltleistung Mosfet-Transistor-IXFH60N50P3
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N-Channel 500 V 60A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
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Hersteller
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Plastik-ergänzender Energie DarliCM GROUPon mosfet, Silikon-Leistungstransistoren 2N6038
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 4 A 40 W Through Hole TO-126
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Hersteller
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Epitaxial- planarer Transistor des Silikon-PNP, Audioenergie 2SB1560 mosfet
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Bipolarer (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50 MHz 100 W Durchgangsloch TO-3P
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Hersteller
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Epitaxial- planarer Audiomosfet 2SB1560, energie des Silikons PNP
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Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
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Hersteller
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TRIAC-Silikon 3 Pin Transistor, bidirektionaler Triodenthyristor BTA16-800BW3G
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TRIAC Standard 800 V 16 A Through Hole TO-220AB
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Hersteller
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Switchmode-Energie-Gleichrichter-ultraschnelle Gleichrichter 8,0 der 50−600-Volt-niedrigen Vorwärtsampere spannungs-Mur820g
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Diode 200 V 8A Through Hole TO-220-2
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Hersteller
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Neues u. ursprüngliches Silikon NPN DarliCM GROUPon Power Transistors 2SD2390
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 55MHz 100 W Through Hole TO-3P
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Hersteller
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HEXFET-Energie Mosfet DC-Motorantrieb-synchrone Korrektur in ununterbrechbarer Energie IRLB3034PBF SMPS
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N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Hersteller
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Silikon-Transistor-Energie Mosfet-Transistor 2SC5200 NPN Epitaxial-
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-264
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Hersteller
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Leistungstransistoren des Silikon-PNP (Endverstärker-Anwendungen) 2SA1943
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Bipolarer (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30 MHz 150 W Durchkontaktierung TO-3P(L)
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Hersteller
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PNP-Silikon-Verstärker-Transistor 625mW BC557A
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 150MHz 500 mW Through Hole TO-92
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Hersteller
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Universeller Transistor BC848B NPN
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
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Hersteller
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Neue u. ursprüngliche Leistungstransistoren des Silikon-PNP, TO-220C Paket 2SB861
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Bipolar (BJT) Transistor
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Hersteller
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Silikon-Leistungstransistor-einzelne Konfiguration Energie MOSFET IRF740PBF
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N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Hersteller
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HEXFET-Energie MOSFET-Silikonleistungstransistoren IRF3205PBF
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N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Hersteller
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Mosfet-Modul Energie HEXFET-Energie MOSFET IRFB4410ZPBF
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N-Kanal 100 V 97 A (Tc) 230 W (Tc) Durchgangsloch TO-220AB
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Hersteller
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2,0 PASSIVIERTES PAKET KBP206G AMPERES GLAS DES BRÜCKENGLEICHRICHTER-KBP
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Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole KBP
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Hersteller
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Neue und originale Präzisions-Celsius-Temperatursensoren LM35DT
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Temperature Sensor Analog, Local 0°C ~ 100°C 10mV/°C TO-220-3
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Hersteller
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Niedrige gegenwärtige 5 ein Leistungstransistoren BD911 3 Pin Transistor Silicon NPN
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 15 A 3MHz 90 W Through Hole TO-220
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Hersteller
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Chip MUR1660CTG-integrierter Schaltung ULTRASCHNELLE GLEICHRICHTER 8,0 AMPERE, VOLT 100−600
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Diode Array 1 Pair Common Cathode 600 V 8A Through Hole TO-220-3
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Hersteller
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Energie TIP122 Mosfet-Transistor-ergänzende Silikon-Energie DarliCM GROUPon Transistors
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
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Hersteller
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EPITAXIAL- PLANARER PNP TRANSISTOR BD140 3 Pin Transistor
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
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Hersteller
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BT137-800E 3 Pin Npn Smd Transistor Triacs empfindliches Tor
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TRIAC Logic - Sensitive Gate 800 V 8 A Through Hole TO-220AB
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Hersteller
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BTA16-800B 3 Pin Transistor STANDARDtriac TRIAC-16A
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TRIAC Standard 800 V 16 A Through Hole TO-220AB
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Hersteller
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BT169D 3 Pin Transistor Thyristors Logic Level 0.8A EMPFINDLICHE Störungsbesuche
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Empfindliches Tor Störungsbesuchs 400 V 800 MA durch Loch TO-92-3
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Hersteller
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FGH60N60SFDTU-Energie Mosfet-Modul 600V, Halt des Feld-60A IGBT
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IGBT Field Stop 600 V 120 A 378 W Through Hole TO-247-3
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Hersteller
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FGA25N120ANTDTU-Energie Mosfet-Transistor-neuer u. ursprünglicher 1200V NPT Graben IGBT
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IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
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Hersteller
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IRFI4020H-117P Energie Mosfet-Transistor DIGITAL-AUDIO MOSFET 200 V
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Mosfet-Array 200 V, 9,1 A, 21 W, Durchgangsloch, TO-220-5, vollgepackt
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Hersteller
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BYG23M-E3/TR ultraschneller Gleichrichter-China-Lieferanten-neue u. ursprüngliche elektronische Bauelemente Lawinen-SMD
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Oberflächenberg DO-214AC (SMA) der Dioden-1000 V 1.5A
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Hersteller
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BTA24-800BW Transistor 25A TRIAC China-Lieferanten-neue u. ursprüngliche elektronische Bauelemente
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TRIAC Alternistor - Snubberless 800 V 25 A Through Hole TO-220
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Hersteller
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Transistor-Endverstärker 2SA1930+2SC5171 TO-220 ursprüngliche IC-Elektronik
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
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Hersteller
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2SA1943+2SC5200 TO-3PL Leistungstransistoren des Transistor-Silikon-PNP
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(L)
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Hersteller
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zugeschaltete Anwendungen 2SK2010 ursprüngliche IC-Hochgeschwindigkeitselektronik
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4A, 250V, 0.7ohm, N-Channel MOSF
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Hersteller
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Leistungslinie Energie STM32F103VET6 Mosfet-Transistors mit hoher Dichte
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ARM® Cortex®-M3 STM32F1 Microcontroller IC 32-Bit Single-Core 72MHz 512KB (512K x 8) FLASH
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Hersteller
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2SD1047 Leistungstransistor-China-Lieferanten-neue u. ursprüngliche elektronische Bauelemente des Silikon-NPN
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 12 A 20MHz 100 W Through Hole TO-3P
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Hersteller
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SPW35N60CFD-Energie Mosfet-Transistor, CoolMOSTM-Leistungstransistor
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N-Channel 600 V 34.1A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
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Hersteller
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N-Kanal Zener schützte Super-MESHTM-Energie MOSFET, STF13NK50Z
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N-Channel 500 V 11A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
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Hersteller
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N - KANAL Zener schützte SuperMESH-⑩Energie Mosfet-Transistor STP10NK80ZFP
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N-Channel 800 V 9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
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Hersteller
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Stift des Sockels 3 des Transistors TIP105, Silikon PNP DarliCM GROUPon Power Transistors
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Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 60 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
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Hersteller
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FET BUK9507-30B Elektronik-Teiltransistor-Energie Mosfet-Transistor TrenchMOS-logischen Zustandes
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N-Channel 30 V 75A (Tc) 157W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Hersteller
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Mosfet-Transistor N-KANAL Zener-geschützter SuperMESHPower MOSFET Energie STP10NK70ZFP elektrischer⑩ IC
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N-Channel 700 V 8.6A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
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Hersteller
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Ergänzender mosfet-geringer Energie Schaltleistung der Leistungstransistoren TIP2955 mosfet
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
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Hersteller
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Kühler MOS™ Leistungstransistor npn SPA04N60C3XKSA1 darliCM GROUPon Leistungstransistor Energie Mosfet-Transistor-
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N-Channel 650 V 4.5A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
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Hersteller
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STP20NM50FP-npn darliCM GROUPon Leistungstransistor Energie Mosfet-Transistor N-KANAL MDmesh? Energie MOSFET
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N-Channel 550 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
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STP20NM60FP-npn universeller Transistor Energie Mosfet-Transistor N-KANAL MDmesh? Energie MOSFET
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N-Channel 600 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
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Hersteller
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