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Schlüsselwörter [ silicon npn power transistors ] Passen 177 produits.
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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BD439 Leistungs-Mosfet-Modul Kunststoff-NPN-Transistor aus Silizium mit mittlerer Leistung |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126
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TIP102 Mosfet-Transistor KOMPLEMENTÄRE SILIKON-POWER-DARLICM GROUPON-TRANSISTOREN |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
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Hersteller
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Energie TIP122 Mosfet-Transistor-ergänzende Silikon-Energie DarliCM GROUPon Transistors |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
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Hersteller
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Schaltung BD681 NPN DarliCM GROUPon Power Transistors Medium Power |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 100 V 4 A 40 W durch Loch SOT-32-3
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Hersteller
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Mosfet-Transistors Energie MJE15032G MJE15033G ergänzender mosfet Energie |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 250 V 8 ein 30MHz 50 W durch Loch TO-220
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Hersteller
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Energie BFR520 Mosfet-Transistor NPN Breitbandtransistor mit 9 Gigahertz |
Oberflächenberg SC-75 Rf-Transistor-NPN 15V 70mA 9GHz 150mW
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Hersteller
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BC846B-Silikon-universelle Transistoren NPN elektrisches IC |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 65 V 100 MA 300MHz 350-mW-Oberflächenberg SOT-23-3
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Hersteller
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Plastikpaket-Transistoren 2SC2482 TO-92 (NPN), universeller Npn-Transistor |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
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Hersteller
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Energie BCV49 Mosfet-Transistor, NPN-Silikon-DarliCM GROUPon Transistors High-Kollektorstrom |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 500 mA 220MHz 1.3 W Surface Mount SOT-89
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Hersteller
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2SC4793 (F, M) 3 Pin Transistor Chip Electronics IC Chip Integarted Circuts |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
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Hersteller
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Energie PMBT2222AYS115 Mosfet-Transistor, Schaltleistung PHILIPSS NPN mosfet |
Bipolares (BJT) Transistor-Array
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PLANARER (MITTLERE LEISTUNGSTRANSISTOREN) mosfet Schaltleistung SILIKONS ZTX653 NPN |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 175MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
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Hersteller
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Epitaxial- planare Silikonleistungstransistoren 2SC5707 PNP/NPN für hohe gegenwärtige Schaltung |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 50 V 8 ein Oberflächenberg TP-FA 330MHz 1 W
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Hersteller
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Energie 2SC2229-Y mosfet IC Energie zerstreute Art des Mosfet-Transistor-Silikon-NPN Dreiergruppe (PCT-Prozess) |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 150 V 50 MA 120MHz 800 mW durch Loch TO-92MOD
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Hersteller
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Audioepitaxial- Art des 2SC5171 endverstärker IC-Transistor-Silikon-NPN 200 MHZ |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 180 V 2 ein 200MHz 2 W durch Loch TO-220NIS
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Hersteller
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Mosfet-Transistoren hoher Leistung MMBT4403LT1G zugeschaltete, PNP-Silikonleistungstransistoren |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 40 V 600 MA 200MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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Mosfet-Transistor 19A, 100V, 0,200 Ohm, P-Kanal-Energie MOSFETs Energie Energie IRF9540 mosfet IC |
P-Channel 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Hersteller
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Energie LT1086CM-3.3 mosfet-Modul Elektronik IC Chip Integarted Circuts |
Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 1.5A 3-DDPAK
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MJD340TF Hochspannungs-Leistungstransistoren D-PAK-Schaltleistungs-MOSFET |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 1.56 W Surface Mount D-Pak
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LD1117S12TR-Energie Mosfet-Transistor-niedriger Tropfen-örtlich festgelegte und justierbare positive Spannungs-Regler |
Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 800mA SOT-223
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Hersteller
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FCX605TA 20 V NPN-SILIKON-HOCHSPANNUNGS-DARLICM GROUPON-TRANSISTOR-Allzweck-MOSFET |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 120 V 1 A 150MHz 1 W Surface Mount SOT-89-3
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Hersteller
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PBSS4112PANP, 115 niedriger VCEsat (BISS) Transistor Energie Mosfet-Transistors NPN/NPN |
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 120V 1A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
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Hersteller
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Silikon-Transistor-Vorlage 2SC5242 3 Pin Transistor NPN Epitaxial- |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 130 W Through Hole TO-3P
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Hersteller
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Zweipoliger SMD Transistor BC847B SOT-23 1F 1FW NPN |
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MMBT3904-7-F multi Emittertransistor NPN DIFFERENZIELLER OBERFLÄCHENberg-TRANSISTOR |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
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Hersteller
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Silikon-Elektronik-Komponenten BC847A-Doppelenergie Mosfet-Transistor-NPN |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 100 MA 300MHz 250-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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2SC945 Audiofrequenzverstärker Hochfrequenz-Osc-Npn-Transistor |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 150MHz 400 mW Through Hole TO-92
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Hersteller
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Silikon-Transistor-Energie Mosfet-Transistor 2SC5200 NPN Epitaxial- |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-264
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Hersteller
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PZT2222A Leistungs-Mosfet-Transistor-NPN-Allzweckverstärker |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 1 W Surface Mount SOT-223
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Hersteller
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MMBT5551LT1G Power Mosfet Transistor Hochspannungstransistoren NPN Silizium |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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Mosfet-Transistor Schaltleistung NJW0302G ergänzender, NPN - PNP-Energie-bipolar Transistor |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
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Hersteller
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FZT653TA Leistungs-Mosfet-Transistor NPN-Silizium-Planar-Hochleistungstransistor |
TRANS NPN 100V 2A SOT223-3
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Hersteller
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MPSA42 Leistungs-Mosfet-Transistor NPN-Hochspannungstransistoren mit geringem Strom |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
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Hersteller
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Transistor (Npn) für allgemeine Af-Anwendungen, hoher Kollektorstrom Bc817-40 |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Hersteller
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Mosfet-Transistor SOT-23 Energie Transistor npn BC847C universeller BIPOLAR TRANSISTOR-TRANSISTOR |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 100 MA 300MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Hersteller
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BC807-40 SOT-23 BIPOLAR TRANSISTOR-TRANSISTOR (PNP) PNP integrierter Halbleiter universellen Verstärkers |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Hersteller
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Transistor-Schaltleistung mosfet PBSS4320T 20 V NPN niedriger VCEsat |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 20 V 2 ein 100MHz 540-mW-Oberflächenberg TO-236AB
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Hersteller
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BCP54 Leistungs-MOSFET-IC-Transistor NPN-Allzweck-Verstärkertransistoren |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1.5 A 1.5 W Surface Mount SOT-223-4
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Hersteller
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DDTC144EE-7-F NPN VORGESPANNTER KLEINSIGNAL-SOT-523-SMD-TRANSISTOR |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount SOT-523
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Hersteller
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Universeller Transistor BC848B NPN |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
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Hersteller
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BT151-500R N-Kanal MOS FET NPN Epitaxie-Siliziumtransistor 3-polige Transistor-Thyristoren |
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Hersteller
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BC817-25LT1G NPN universelle Transistor-Elektronik-integrierte Schaltungen |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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MMBTA43LT1G-Hochspannungsenergie mosfet-Transistoren, Rf-Energie mosfet-Transistoren |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 200 V 50 MA 50MHz 225-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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EMD3T2R Leistungs-Mosfet-Modul-Transistor für allgemeine Zwecke (zwei digitale Transistoren) |
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
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Epitaxial- planarer Transistor des Silikon-PNP, Audioenergie 2SB1560 mosfet |
Bipolarer (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50 MHz 100 W Durchgangsloch TO-3P
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Hersteller
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LM2577T-ADJ 3 Pin Transistor EINFACHER SWITCHER-R Aufwärtsspannungs-Regler |
Boost, Flyback, Forward Converter Switching Regulator IC Positive Adjustable 1.23V 1 Output 3A (Switch) TO-220-5
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Hersteller
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MGW12N120D-Energie Mosfet-Transistor-Isolierschichtbipolar transistor mit anti-paralleler Diode |
IGBT
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Energie TIP120 Mosfet-Transistor-ergänzende Silikon-Transistoren |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 60 V 5 A 2 W durch Loch TO-220
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Hersteller
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Epitaxial- planarer Audiomosfet 2SB1560, energie des Silikons PNP |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
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Hersteller
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MMBT4401LT1G-Schaltleistung Mosfet-Transistorhohe leistung 225 mW PD |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 40 V 600 MA 250MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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