| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ |
|---|
|
|
Audioepitaxial- Art des 2SC5171 endverstärker IC-Transistor-Silikon-NPN 200 MHZ
|
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 180 V 2 ein 200MHz 2 W durch Loch TO-220NIS
|
|
|
|
|
|
MJD340TF Hochspannungs-Leistungstransistoren D-PAK-Schaltleistungs-MOSFET
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 1.56 W Surface Mount D-Pak
|
|
|
|
|
|
Mosfet-Transistoren hoher Leistung MMBT4403LT1G zugeschaltete, PNP-Silikonleistungstransistoren
|
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 40 V 600 MA 200MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
|
|
|
|
|
|
Silikon-Transistor-Vorlage 2SC5242 3 Pin Transistor NPN Epitaxial-
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 130 W Through Hole TO-3P
|
|
|
|
|
|
MMBT3904-7-F multi Emittertransistor NPN DIFFERENZIELLER OBERFLÄCHENberg-TRANSISTOR
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
|
|
|
|
|
|
FCX605TA 20 V NPN-SILIKON-HOCHSPANNUNGS-DARLICM GROUPON-TRANSISTOR-Allzweck-MOSFET
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 120 V 1 A 150MHz 1 W Surface Mount SOT-89-3
|
|
|
|
|
|
Silikon-Elektronik-Komponenten BC847A-Doppelenergie Mosfet-Transistor-NPN
|
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 100 MA 300MHz 250-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
|
|
|
|
|
|
Zweipoliger SMD Transistor BC847B SOT-23 1F 1FW NPN
|
|
|
|
|
|
|
PBSS4112PANP, 115 niedriger VCEsat (BISS) Transistor Energie Mosfet-Transistors NPN/NPN
|
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 120V 1A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
|
|
|
|
|
|
2SC945 Audiofrequenzverstärker Hochfrequenz-Osc-Npn-Transistor
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 150MHz 400 mW Through Hole TO-92
|
|
|
|
|
|
Silikon-Transistor-Energie Mosfet-Transistor 2SC5200 NPN Epitaxial-
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-264
|
|
|
|
|
|
PZT2222A Leistungs-Mosfet-Transistor-NPN-Allzweckverstärker
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 1 W Surface Mount SOT-223
|
|
|
|
|
|
FZT653TA Leistungs-Mosfet-Transistor NPN-Silizium-Planar-Hochleistungstransistor
|
TRANS NPN 100V 2A SOT223-3
|
|
|
|
|
|
MPSA42 Leistungs-Mosfet-Transistor NPN-Hochspannungstransistoren mit geringem Strom
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
|
|
|
|
|
|
Transistor (Npn) für allgemeine Af-Anwendungen, hoher Kollektorstrom Bc817-40
|
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
|
|
|
|
|
|
MMBTA43LT1G-Hochspannungsenergie mosfet-Transistoren, Rf-Energie mosfet-Transistoren
|
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 200 V 50 MA 50MHz 225-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
|
|
|
|
|
|
Mosfet-Transistor Schaltleistung NJW0302G ergänzender, NPN - PNP-Energie-bipolar Transistor
|
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
|
|
|
|
|
|
Mosfet-Transistor SOT-23 Energie Transistor npn BC847C universeller BIPOLAR TRANSISTOR-TRANSISTOR
|
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 100 MA 300MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
|
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G-Schaltleistung Mosfet-Transistorhohe leistung 225 mW PD
|
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 40 V 600 MA 250MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
|
|
|
|
|
|
Energie TIP120 Mosfet-Transistor-ergänzende Silikon-Transistoren
|
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 60 V 5 A 2 W durch Loch TO-220
|
|
|
|
|
|
EMD3T2R Leistungs-Mosfet-Modul-Transistor für allgemeine Zwecke (zwei digitale Transistoren)
|
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
|
|
|
|
|
|
BCP54 Leistungs-MOSFET-IC-Transistor NPN-Allzweck-Verstärkertransistoren
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1.5 A 1.5 W Surface Mount SOT-223-4
|
|
|
|
|
|
Universeller Transistor BC848B NPN
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
|
|
|
|
|
|
BC817-25LT1G NPN universelle Transistor-Elektronik-integrierte Schaltungen
|
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
|
|
|
|
|
|
BC807-40 SOT-23 BIPOLAR TRANSISTOR-TRANSISTOR (PNP) PNP integrierter Halbleiter universellen Verstärkers
|
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
|
|
|
|
|
|
ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLICM GROUPONS 5,0 A, 100 V, 30 w-Hochspannungsenergie mosfet-Doppelenergie mosfet MJF122G
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220FP
|
|
|
|
|
|
Epitaxial- planarer Transistor des Silikon-PNP, Audioenergie 2SB1560 mosfet
|
Bipolarer (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50 MHz 100 W Durchgangsloch TO-3P
|
|
|
|
|
|
Transistor-Energie-Fahrer Stage Amplifier Applications ergänzend zu 2SC4793 (F, M) A1837
|
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 230 V 1 ein 100MHz 2 W durch Loch TO-220NIS
|
|
|
|
|
|
Epitaxial- planarer Audiomosfet 2SB1560, energie des Silikons PNP
|
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
|
|
|
|
|
|
Energie LT1086CM-3.3 mosfet-Modul Elektronik IC Chip Integarted Circuts
|
Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 1.5A 3-DDPAK
|
|
|
|
|
|
Schalttransistor Energie PMBT3906 Mosfet-Transistors PNP
|
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 200mA 250MHz 350mW Surface Mount 6-TSSOP
|
|
|
|
|
|
Mosfet-Transistor 19A, 100V, 0,200 Ohm, P-Kanal-Energie MOSFETs Energie Energie IRF9540 mosfet IC
|
P-Channel 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
|
|
ULQ2003ADR HOCHSPANNUNGS-HOCHSTROM-DARLICM GROUPON-TRANSISTOR-ARRAY
|
Power Switch/Driver 1:1 DarliCM GROUPon 500mA 16-SOIC
|
|
|
|
|
|
Schneller tatsächlicher Gleichrichter Schaltleistung Mosfet-Transistor-IXFH60N50P3
|
N-Channel 500 V 60A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
|
|
|
|
|
|
BTA24-800BW Transistor 25A TRIAC China-Lieferanten-neue u. ursprüngliche elektronische Bauelemente
|
TRIAC Alternistor - Snubberless 800 V 25 A Through Hole TO-220
|
|
|
|
|
|
LD1117S12TR-Energie Mosfet-Transistor-niedriger Tropfen-örtlich festgelegte und justierbare positive Spannungs-Regler
|
Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 800mA SOT-223
|
|
|
|
|
|
PNP-Silikon-Verstärker-Transistor 625mW BC557A
|
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 150MHz 500 mW Through Hole TO-92
|
|
|
|
|
|
BT151-500R N-Kanal MOS FET NPN Epitaxie-Siliziumtransistor 3-polige Transistor-Thyristoren
|
|
|
|
|
|
|
MGW12N120D-Energie Mosfet-Transistor-Isolierschichtbipolar transistor mit anti-paralleler Diode
|
IGBT
|
|
|
|
|
|
LM2577T-ADJ 3 Pin Transistor EINFACHER SWITCHER-R Aufwärtsspannungs-Regler
|
Boost, Flyback, Forward Converter Switching Regulator IC Positive Adjustable 1.23V 1 Output 3A (Switch) TO-220-5
|
|
|
|
|
|
IRFP9140N-Transistorkomponenten, -elektronische Geräte und -integrierte Schaltungen
|
MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC
|
|
|
|
|
|
IRLB3034PBF-Transistor programmierbare Schaltchip ICs Chip Flash Ic Integrated IC-Elektronik
|
N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
|
|
40TPS12APBF 3-polige Transistor-Triacs mit empfindlichem Gate
|
SCR 1.2 kV 55 A Standard Recovery Through Hole TO-247AC
|
|
|
|
|
|
Positive Regler LM7805CT 3 Pin Transistor Series 3-Terminal
|
Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 1.5A TO-220-3
|
|
|
|
|
|
Energie FQP50N06 Mosfet-Transistor npn universeller Transistor
|
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
|
|
|
|
|
|
Graben-Energie Mosfet IC IRF1404PBF brachte ultra niedrigen Auf-Widerstand voran
|
N-Channel 40 V 202A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
|
|
IRF2807 3 Pin Transistor, Elektronik-integrierte Schaltungen Schaltleistung mosfet IC
|
N-Channel 75 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
|
|
Elektronik-Komponenten-elektronischer Energie MOSFET des Transistor-IRFPE50
|
N-Channel 800 V 7.8A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
|
|
|
|
|
|
Chip IRF540NPBF 3 Pin Transistor in den Elektronik-, linearen und digitalenintegrierten schaltungen
|
N-Channel 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
|
|
L78L33CD-TR positive Spannungsregler, 3 Pin Transistor hohe Leistung
|
Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 100mA 8-SOIC
|
|
|
|
